显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：阵列基板，位于GOA区和显示区；有机发光层，设置于所述阵列基板上，所述有机发光层包括第一电极层、第二电极层和发光材料层，所述发光材料层设于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述发光材料层位于所述显示区；所述第一电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。本发明专利技术通过所述第一电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。和所述第二电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。从而阻挡封装层中H离子扩散带来的影响，改善GOA电路的负偏失效问题。路的负偏失效问题。路的负偏失效问题。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，由于有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180
°
视角、使用温度范围宽等优点，且可实现大面积全色显示，有望成为继LCD显示技术之后的下一代平板显示技术，是平板显示技术中倍受关注的技术之一。有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示面板是OLED显示面板的一种，主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)和OLED构成。
[0003]随着显示技术的不断发展，AMOLED技术越来越多的应用于柔性显示中，柔性产品封装完全靠TFE进行封装保护，但是TFE膜层中含有H离子，在高温或者老化过程中，会存在H离子扩散的现象，因为AA区上面有阳极及阴极遮挡，GOA区上面无任何金属层保护，更容易受到H离子扩散带来的器件负偏，导致GOA电路失效。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种显示面板及其制作方法，可以解决目前GOA区上面无任何金属层保护，容易受到H离子扩散带来的器件负偏，导致GOA电路失效的问题。
[0005]根据本专利技术的一方面，本专利技术提供一种显示面板，所述显示面板包括：阵列基板，位于GOA区和显示区；有机发光层，设置于所述阵列基板上，所述有机发光层包括第一电极层、第二电极层和发光材料层，所述发光材料层设于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述发光材料层位于所述显示区；所述第一电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。
[0006]进一步地，所述第二电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。
[0007]进一步地，所述阵列基板包括：衬底基板；遮光层，设置于所述衬底基板上；缓冲层，设置于所述衬底基板和所述遮光层上；有源层，设置于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置于所述有源层上；栅极层，设置于所述栅极绝缘层；层间绝缘层，设置于所述缓冲层、有源层和栅极层上；源漏电极层，设置于所述层间绝缘层上，并通过过孔与所述有源层连接；钝化层，设置于所述层间绝缘层和源漏电极层上；以及平坦层，设置于所述钝化层上。
[0008]进一步地，由所述有源层、所述栅极绝缘层、栅极层和源漏电极层形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述显示区和所述GOA区，并且所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖位于所述GOA区的薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
[0009]进一步地，所述显示面板还包括：封装层，设置于所述有机发光层上。
[0010]根据本专利技术的另一方面，还提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：提供一阵列基板；在所述阵列基板上沉积第一电极层，并且所述第一电极层覆盖在显示区和GOA区；以及在所述第一电极层上沉积发光材料层；在所述发光材料层上蒸镀第二电极层。
[0011]进一步地，所述第二电极层覆盖在所述显示区和所述GOA区。
[0012]进一步地，所述提供一阵列基板包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成遮光层；在所述衬底基板和所述遮光层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；在所述有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极层；在所述缓冲层、有源层和栅极层上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成源漏电极层，并通过过孔与所述有源层连接；所述层间绝缘层和源漏电极层上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成平坦层。
[0013]进一步地，由所述有源层、所述栅极绝缘层、栅极层和源漏电极层形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述显示区和所述GOA区，并且所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖位于所述GOA区的薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
[0014]进一步地，所述方法还包括：在所述第二电极层上形成封装层。
[0015]本专利技术的优点在于，通过所述第一电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。和所述第二电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。从而阻挡封装层中H离子扩散带来的影响，改善GOA电路的负偏失效问题。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术实施例一提供的显示面板的结构示意图；
[0018]图2是本专利技术实施例二提供的显示面板的结构示意图；
[0019]图3是本专利技术实施例三提供的显示面板的制作方法的步骤流程图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0022]如图1所示，为本专利技术实施例提供的显示面板结构示意图。所述显示面板包括：阵列基板100和有机发光层200。
[0023]示例性地，阵列基板100位于GOA区300和显示区400，有机发光层200设置于所述阵列基板100上，所述有机发光层200包括第一电极层11、第二电极层13和发光材料层12，所述发光材料层12设于所述第一电极层11和所述第二电极层13之间，所述发光材料层12位于所述显示区400，所述第一电极层11位于所述显示区400，并延伸至所述GOA区300。
[0024]其中所述阵列基板100包括：衬底基板10、遮光层20、缓冲层30、有源层40、栅极绝缘层50、栅极层60、层间绝缘层70、源漏电极层80、钝化层90和平坦层91。
[0025]示例性地，遮光层20设置于所述衬底基板10上，所述基板可以为柔性PI层。缓冲层30设置于所述衬底基板10和所述遮光层20上，例如沉积SiOx或是SiNx薄膜作为缓冲层30。
[0026]示例性地，有源层40设置于所述缓冲层30上，例如沉积IGZO作为有源层40，In：Ga：Zn＝1:1:1比例，厚度200
‑
800A。
[0027]示例性地，栅极绝缘层50设置于所述有源层40上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，位于GOA区和显示区；有机发光层，设置于所述阵列基板上，所述有机发光层包括第一电极层、第二电极层和发光材料层，所述发光材料层设于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述发光材料层位于所述显示区；所述第一电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层位于所述显示区，并延伸至所述GOA区。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；遮光层，设置于所述衬底基板上；缓冲层，设置于所述衬底基板和所述遮光层上；有源层，设置于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置于所述有源层上；栅极层，设置于所述栅极绝缘层；层间绝缘层，设置于所述缓冲层、有源层和栅极层上；源漏电极层，设置于所述层间绝缘层上，并通过过孔与所述有源层连接；钝化层，设置于所述层间绝缘层和源漏电极层上；以及平坦层，设置于所述钝化层上。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，由所述有源层、所述栅极绝缘层、栅极层和源漏电极层形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述显示区和所述GOA区，并且所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖位于所述GOA区的薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：封装层，设置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡凯，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：