一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端制造技术

本发明专利技术提供的一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端包括p+外延层1、基区2、N+衬底3、SiO2钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明专利技术二次刻蚀后阳极金属覆盖PN结侧面和区域2基区上表面，相比于现有技术本发明专利技术通过阳极金属覆盖负角处结表面设计方式，可以改变电场集中点处的电位，因此本发明专利技术可以降低器件的表面电场，提高器件的击穿电压和击穿效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端。

技术介绍

[0002]DAS(Diode Avalanche Shaper，二极管雪崩整流器)是一种半导体短路开关二极管，具有高效率、高可靠性、连续工作时间长和体积小等特点，通常作为关键器件应用于UWB(Ultra Wide Band，超宽带)脉冲信号源。
[0003]由于硅材料的理论极限，硅基DAS已无法满足多数几千伏甚至是几十千伏的脉冲系统的要求。碳化硅材料具有比硅材料高的禁带宽度、饱和漂移速度、热导率、临界击穿电场和抗辐照能力，使得碳化硅基DAS器件的性能优于硅基DAS。
[0004]现有技术通过在器件元胞外侧加入各种表面终端以扩展空间电荷区，以提高碳化硅功率器件的击穿效率。常用的以JTE、FLR为代表的的平面终端为例，这些表面终端虽然使得器件有所提升，但是仍然存在表面电场集中问题。因此技术人员需要不断调整终端去设计才能提高击穿效率，同时需要离子注入，这些过程会额外引入缺陷，且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端，其特征在于，包括：p+外延层(1)、基区(2)、N+衬底(3)、SiO2钝化层(4)、背部电极(5)以及正面电极(6)；所述基区(2)位于所述N+衬底(3)之上，所述p+外延层(1)位于所述基区(2)之上，所述p+外延层(1)、基区(2)以及N+衬底(3)自下而上呈梯形台阶结构；所述正面电极(6)覆盖所述p+外延层(1)以及所述基区(2)的上表面内侧部分；所述N+衬底(3)外侧设置有台阶面，所述台阶面使N+衬底(3)上部分呈梯形，下部分呈矩形；所述SiO2钝化层(4)自位于基区(2)上未被所述正面电极(6)覆盖的外侧部分开始，自上而下包裹所述基区(2)的外侧部分以及N+衬底(3)梯形台阶面，所述背部电极(5)位于所述N+衬底(3)的矩形下表面。2.根据权利要求1所述的阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端，其特征在于，所述基区(2)包括P
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基区和N
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基区。3.根据权利要求1所述的阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端，其特征在于，沉积形成所述背部电极(5)以及正面电极(6)的金属包括Ti以及Ni。4.根据权利要求1所述的阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端，其特征在于，所述N+衬底(3)包括第一台阶面以及第二台阶面，所述第一台阶面与所述基区(2)下表面相接触，所述第二台阶面位于所述梯形与矩阵相触的两侧，所述SiO2钝化层(4)自上而下包裹所述N+衬底(3)直至完全包裹所述第二台阶面，露出N+衬底(3)第二台阶面以下的部分。5.一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1：获取N+衬底(3)；步骤2：在N+衬底区(3)表面通过CVD方法生长基区(2)；...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤晓燕，周瑜，袁昊，宋庆文，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：