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本发明提供的一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端包括p+外延层1、基区2、N+衬底3、SiO2钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明二次刻蚀后阳极金属覆盖PN结侧面和区域2基区上表面，相比于现有技术本发明通过阳极金属覆盖负角处...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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