由三相为变化的负载供电的电路结构制造技术

本发明专利技术涉及用于由三相（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）为尤其是变化的负载（Ｉ１、Ｉ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３）供电的电路结构，包括下述特征：所述电路结构具有用于负载（Ｉ１、Ｉ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３）的四组连接端子（Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４；Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４；Ａ３１、Ａ３２；Ａ４１、Ａ４２、Ａ４３），它们在下面被称为连接端子组，所述电路结构适合并被设置为由第一相（Ｌ１）为第二连接端子组的连接端子（Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４）供电，所述电路结构适合并被设置为由第二相（Ｌ２）为第四连接端子组的连接端子（Ａ４１、Ａ４２、Ａ４３）供电，所述电路结构适合并被设置为从第三相（Ｌ３）为第一连接端子组的连接端子（Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３）和第三连接端子组的连接端子（Ａ３１、Ａ３２）供电，所述电路结构适合并被设置为调节四个连接端子组的电压，并且为此具有三个调节回路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种由供电系统的^目为负栽、尤其K化的负栽供电的电路 结构。
技术介绍
从公开号DE 20 2004 014 812 Ul 、 DE 20 2004 004 655 Ul和DE 203 18 061Ul的实用鄉说明书已知一种电路结构，用它能够由供电系统的^目为负栽供 电。所述负^^匕可以指在工作中变化的负载。在上述技术说明书中描述 的电路结构特别A^硅分离设备培育硅晶体而提供的。所述负絲此由要培育 的晶体形成。在工作期间晶体生长，由此其电阻U变化。对于一种特殊的设备，itt应该能够在一个反应器中同时增育更多的晶 体。为此需m高的功率，因此用^目供电系统供电是有意义的。所iiA^器的特殊'l"錄于，由产生的硅晶体形成的负栽排列"个同心圃 上。^"个这样的同心圆都包括一M晶体，亦即一组负载。构成外环的负栽 组的负to目大于内环的负to目。
技术实现思路
在培育硅晶体时通过的电压曲线或者电流曲线对于一组负载中的负 该相同。然而在各负裁i且之间在要维持的电流或者电压曲线的情况下可E4在 差别。因此，在培育^-负^U且的硅晶^间用一个自身的调节电路调节电流 或者电压变化^i有意义的本文档来自技高网...

【技术保护点】
－种用于由三相（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）为尤其是变化的负载（Ｉ１、Ｉ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３）供电的电路结构，包括下述特征：　－所述电路结构具有用于负载（Ｉ１、Ｉ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３）的四组连接端子（Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４；Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４；Ａ３１、Ａ３２；Ａ４１、Ａ４２、Ａ４３），它们在下面被称为连接端子组，　－所述电路结构适合并被设置为由第一相（Ｌ１）为第二连接端子组中的连接端子（Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４）供电，　－所述电路结构适合并被设置为由第二相（Ｌ２）为第四连接端子组中的连接端子（Ａ４１、Ａ４２、Ａ４３）供电，　－所述电路结构适合并被设置为由...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：W福尔马尔，MH利泽，
申请(专利权)人：AEG供电系统有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]