双面研磨方法技术

本发明专利技术提供一种双面研磨方法，包括步骤S1：提供晶圆，将晶圆垂直放置并将两个砂轮贴置到晶圆的两个表面；S2：对晶圆进行双面粗研磨，粗研磨过程中，两个砂轮均以第一转速旋转；S3：对晶圆进行双面第一中研磨，第一中研磨过程中，两个砂轮均以第二转速旋转；S4：对晶圆进行双面第二中研磨，第二中研磨过程中，两个砂轮均以第三转速旋转；S5：对晶圆进行双面精研磨，精研磨过程中，两个砂轮均以第四转速旋转；第二转速及第三转速均大于第一转速且均小于第四转速；粗研磨过程中的输送速度＞第一中研磨过程中的输送速度＞第二中研磨过程中的输送速度＞精研磨过程中的输送速度。本发明专利技术可有效延长砂轮使用寿命，降低研磨成本，提高晶圆的表面平坦度。的表面平坦度。的表面平坦度。

【技术实现步骤摘要】
双面研磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，特别是涉及一种双面研磨方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的非常发展，器件的特征尺寸日益缩小而器件集成度日益提高，晶圆表面平坦度对生产良率的影响越来越大。现有技术中，晶棒切割后得到的晶圆都需要经过研磨和抛光等工艺以实现表面平坦化。这其中，研磨工艺主要是为了去除刚切割出的晶圆表面残留有树脂、颗粒等杂质的缺陷层和损伤层并实现晶圆的表面平坦化。具体地，现有的研磨工艺通常包括单面研磨和双面研磨(Double Side Lapping)。其中，双面研磨的具体方法为：将晶圆水平放置，同时使用Al2O3和压板同时覆盖晶圆的两侧对晶圆进行研磨，该研磨方法可以有效地消除晶圆表面呈波纹状的表面纳米形貌。但是，由于该方法要使用研磨浆料，容易对环境造成危害；而且现有技术中使用多步固定转速的旋转方式进行研磨，即从最初阶段的粗研磨到最终精研磨，各阶段的转速完全相同，导致研磨效果较差，砂轮消耗量过大。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种双面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面研磨方法，其特征在于，所述双面研磨方法包括以下步骤：S1：提供待研磨的晶圆，将所述晶圆垂直放置并将两个砂轮贴置到晶圆的两个相对表面；S2：对所述晶圆进行双面粗研磨，粗研磨过程中，两个砂轮均以第一转速旋转；S3：对所述晶圆进行双面第一中研磨，第一中研磨过程中，两个砂轮均以第二转速旋转；S4：对所述晶圆进行双面第二中研磨，第二中研磨过程中，两个砂轮均以第三转速旋转；S5：对所述晶圆进行双面精研磨，精研磨过程中，两个砂轮均以第四转速旋转；其中，第一转速小于第二转速及第三转速，第二转速及第三转速均小于第四转速；粗研磨过程中的输送速度＞第一中研磨过程中的输送速度＞第二中研磨过程中的输送速度＞精研磨过程中的输送速度。2.根据权利要求1所述的双面研磨方法，其特征在于，所述第一转速为2500r/min，所述第二转速及第三转速均为3500r/min，所述第四转速为4000r/min。3.根据权利要求1所述的双面研磨方法，其特征在于：粗研磨过程中的输送速度为240μm/min，第一中研磨过程中的输送速度为80μm/...

【专利技术属性】
技术研发人员：李运勇，康明，张博毅，严添悦，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：