一种功率MOSFET器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，所述功率MOSFET器件分为有源区和终端区，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型外延层，在有源区的第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有第一导电类型阱区，在第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有沟槽，在有源区的第二导电类型外延层中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，在终端区的第二导电类型外延层中设有第二导电类型源极，本发明专利技术能够缓解半导体晶圆在制造过程中产生的翘曲，有效提高功率半导体器件的终端耐压，提高功率半导体器件的可靠性。提高功率半导体器件的可靠性。提高功率半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种功率MOSFET器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，尤其是一种MOSFET器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]金属氧化层半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET）是一种电压控制型的电子器件，一般具有源极，栅极和漏极三个端口。对于功率MOSFET而言，由于其关断时需要承担高电压，因此势必需要一定的芯片面积来形成耗尽层耐压。特别地，对于横向功率MOSFET器件而言，高压器件势必意味着较大的芯片面积，从而造成了芯片成本的提高，然而这种器件又有着易于集成的优点。对于纵向功率MOSFET器件而言，其将耐压的部分由横向转移到了纵向，这样一来就能极大程度上减小芯片的面积。此外，横向功率器件中的常用的场板技术能很大程度上提高器件的耐压效率，将这种技术引入到纵向功率器件中，屏蔽栅型MOSFET（Shield Gate Trench MOSFET，SGT MOSFET）器件结构便应运而生。<br/>[0003]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET器件，所述功率MOSFET器件分为有源区（100）和终端区（101），包括漏极金属（01），在所述漏极金属（01）上设有第一导电类型衬底（02），在所述第一导电类型衬底（02）上设有第一导电类型外延层（03），其特征在于，在所述第一导电类型外延层（03）上设有第二导电类型外延层（04），在所述有源区（100）的第一导电类型外延层（03）和第二导电类型外延层（04）中设有第一导电类型阱区（14）；在所述第一导电类型外延层（03）和第二导电类型外延层（04）中设有由二氧化硅绝缘材质组成的第一类沟槽（07）和第二类沟槽（10），所述第一类沟槽（07）位于有源区（100）以及有源区（100）和终端区（101）的交界处，所述位于有源区（100）的第一类沟槽（07）完全位于有源区（100）的第一导电类型阱区（14），所述位于有源区（100）和终端区（101）的交界处的第一类沟槽（07）位于有源区（100）的第一导电类型阱区（14）、有源区（100）以及终端区（101），所述第二类沟槽（10）完全位于终端区（101），所述第一类沟槽（07）内还设有由多晶硅材质组成的第一栅极（08）和第二栅极（06），所述第一栅极（08）位于第一类沟槽（07）上部，所述第二栅极（06）位于第一类沟槽（07）下部，所述第一栅极（08）和第二栅极（06）之间有二氧化硅隔离，所述第二类沟槽（10）内设有由多晶硅材质组成的第三栅极（05）；在所述有源区（100）的第二导电类型外延层（04）中设有高浓度的第一导电类型源极（09）和第二导电类型源极（11），在所述终端区（101）的第二导电类型外延层（04）中设有高浓度的第二导电类型源极（11），所述第二导电类型外延层（04）上方还设有源极金属（12），通过所述源极金属（12），所述终端区（101）的第二导电类型源极（11）与所述有源区（100）的第一导电类型源极（09）、第二导电类型源极（11）相连，所述源极金属（12）与第二导电类型外延层（04）表面还设有绝缘介质层（13）隔离。2.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET器件，其特征在于：对于N型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；对于P型功率半导体器件，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。3.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET器件，其特征在于，所述第一栅极（08）接栅极金属，所述第一导电类型源极（09）和第二导电类型源极（11）接至源极金...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，杨卓，黄薛佺，朱晨凯，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：