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本发明涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，所述功率MOSFET器件分为有源区和终端区，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型外延层，在有源区的第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有第一...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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