一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置和测试方法制造方法及图纸

一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置和测试方法，属于仓储物流技术领域，包括如下具体步骤：步骤一、将仓储区域划分成若干不同区域，并进行标记；步骤二、获取仓储区域内部的通道信息，所述通道信息包括通道位置以及路径信息；还包括以下步骤：步骤三、获取仓储货物，对所述仓储货物进行数据建模，并建立货物信息，所述货物信息包括类别信息、热销程度、数量信息以及重量信息；步骤四、将货物信息与通道信息建立对应关系，生成运输路线信息将货物放置在对应的仓储区域；步骤五、存储运输路线信息至仓储控制台内;本发明专利技术有效的提升对于货物放置区域的选择，利于工作人员及时查询以及在进行入库时候货物的信息比对，从而确保货物放置在正确的位置；提高工作效率。提高工作效率。提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置和测试方法


[0001]本专利技术属于仓储物流
，特别涉及一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置和测试方法。

技术介绍

[0002]激光雷达、3D TOF传感相机都需要高峰值功率、窄脉冲（纳秒级）的激光光源模组，而VCSEL（垂直腔面发射激光器）激光模组由于无腔面损伤、可靠性高、面阵出光、峰值功率高的特点得到了广泛应用。同时，由于VCSEL激光模组功率高，输出光脉宽窄，现有的连续（CW）、准连续（QCW）激光模组测试系统无法满足测试要求，或者即使能对模组进行测试，但是却需要模组进行焊接的有损伤操作，不仅操作麻烦效率低，而且测试损耗的成本也比较高。因此，高功率、窄脉冲VCSEL激光模组无损伤、无需焊接、可重复测试是一个待解决的难题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置和测试方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，包括上位机；所述上位机电连接有主控模块，所述主控模块电连接有信号模块，所述信号模块电连接有激光驱动模块，其中，所述激光驱动模块包括烧结有驱动电路的驱动电路板，所述驱动电路板上设有探针组件。
[0005]作为优选，所述探针组件包括正极探针以及负极探针，所述正极探针以及负极探针二者结构相同，且所述正极探针以及负极探针二者的尾端与所述驱动电路板装配的位置开设有插装槽，所述正极探针以及负极探针插装于所述插装槽内。
[0006]作为优选，所述正极探针/负极探针包括探针本体，所述探针本体的探测端开设有若干个沟槽，且所述探针本体的尾端固设有插装段。
[0007]作为优选，所述正极探针/负极探针的材质为无氧铜材料或者高纯金材料中的一种及其组合。
[0008]作为优选，还包括用于放置待检测的激光模组的模组支架，所述模组支架上和待检测的激光模组相适配的位置设有出光窗口，且所述模组支架上还设有用于调节模组支架温度的温度控制器。
[0009]作为优选，所述信号模块包括信号采集模块和信号处理模块，所述信号采集模块和信号处理模块彼此电连接。
[0010]作为优选，所述信号采集模块包括高速ADC芯片，所述高速ADC芯片电连接有采集接口；所述信号处理模块包括FPGA芯片，所述FPGA芯片电连接有传输接口。
[0011]与现有技术相比，本技术方案具有如下效果：1.与常规测试探针（Pogo pin）比较
常规的探针（Pogo pin）测试，主体结构是弹簧针，电连接性差，电阻高，而且因为弹簧针比较长，寄生电感较大，很难实现窄脉冲的驱动和测试。
[0012]通过把设计加工的微型沟槽结构的测试探针，焊接到激光器驱动电路板上、或者直接在激光器驱动板上覆厚铜的方法直接制作出测试探针，以此达到测试回路更短，显著减小回路的寄生电感，从而实现高功率窄脉冲VCSEL激光模组无损伤、无需模组焊接、可重复测试使用的测试。
[0013]2.与常规的VCSEL模组焊接测试方式比较焊接测试方式需要对VCSEL模组进行焊接的有损伤操作，不仅操作麻烦效率低，测试损耗的成本也比较高，而直接压测的方式是无损伤的可重复测试，操作简便，节约时间和物料消耗成本。
[0014]3.本装置集成了高速ADC和FPGA数据采集模块，可以直接测试给出激光模组的纳秒级的峰值驱动电流、峰值光功率、峰值驱动电压，以及光脉冲宽度等关键参数。
[0015]本专利技术还公开了一种基于上述任一方案设备的高功率纳秒级VCSEL激光模组的测试方法，包括如下具体步骤：S1、首先，探针组件中的正极探针和负极探针与VCSEL激光模组进行有效的压合接触；S2、通过上位机设置相应的测试参数，比如驱动电压范围，电压步进步长；S3、上位机发送指令给主控模块，主控模块控制直流电源、光谱仪、积分球、CCD进行信号输出和接收；S4、信号模块和主控模块对数据进行算法和滤波处理，处理过的数据打包给PC端上位机进行显示或者存储。
附图说明
[0016]图1是本专利技术整体架构示意图；图2是本专利技术中主控模块的架构示意图；图3是本专利技术中部分结构示意图；图4是本专利技术中探针组件安装时的结构示意图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚，完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。
[0018]实施例：如图1所示的一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，包括上位机4；在本实施例中，所述上位机4具备输入控制指令、输出测试数据、绘制测试数据图、以及数据存储和调用的功能，且所述上位机4电连接有主控模块3，所述主控模块3电连接有信号模块2，所述信号模块2电连接有激光驱动模块1；在本实施例中，所述信号模块2包括信号采集模块20和信号处理模块21，所述信号采集模块20和信号处理模块21彼此电连接；其中，所述信号采集模块20包括高速ADC芯片，所述高速ADC芯片电连接有采集接口；所述信号处理模块21包括FPGA芯片，所述FPGA芯片电
1MHz， 脉冲宽度：例如 10ns， 单脉冲有效信号长度：例如 51 points（此处尽量为奇数）, 滤波方式, 采样间隔
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表示密集脉冲串发射频率，在固定ADC采用频率下单个脉冲采样的有效保留点数，将用于保存原始数据，FPGA自用或者传递给MCU处理，考虑到ADC采样频率和脉冲重频，将包含隐含的单脉冲周期采用点数，其中为ADC采样频率，为数据滤波方式（滤波方法可以是滑动窗口滤波，滑动高斯滤波,配有相应参数），同时设定阈值参数,基本设定是处理所有阈值T的参数，表示间隔多少激光脉冲进行下一次采集，降低有效数据量，该参数随着处理器不同灵活设定；FPGA根据上述参数将采集的两路ADC数据进行处理缓存处理，缓存点数大于, 小于，目的是确保至少有一个有效信号段，并不排除在连续处理时根据实时判断获取信号，如果有两个有效信号段，将提取后一个，有效信号段的判断准则是：1.提取阈值大于T的信号，判断连续大于T的长度，如果长度大于, 分母系数根据设备确定，为设定值，结果并向下取整，2.如果有两段有效信号，判断两段是否在采集信号的首尾，如果有一段接近首尾，例如50个点，则取后另一段，如果都远离首尾，则取后一段。
[0026]提取有效信号后进行区段有效性处理：1.搜索有效信号中最大值位置，假设为2.截取ROI区段，取信号原则为{}3.根据滤波窗口进一步扩充，进行滑动窗口滤波4.将数据进一步处理或者送往主控模块（MCU），当前送往MCU
本实施例中，所述的主控模块2的数据处理方式：主控模块（MCU）数据处理方式为：主控模块接收上述FPGA信号之后同样根据上述设定参数进行进一步处理，假设获取有效长度为，将进行采样值细化处理和特征值提取处理1.采样值细化，采用插值，插值方式这里表述为二次插值，但不限于二次插值。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，包括上位机（4）；其特征在于：所述上位机（4）电连接有主控模块（3），所述主控模块（3）电连接有信号模块（2），所述信号模块（2）电连接有激光驱动模块（1），其中，所述激光驱动模块（1）包括烧结有驱动电路的驱动电路板（10），所述驱动电路板（10）上设有探针组件（11）。2.如权利要求1所述的一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，其特征在于：所述探针组件（11）包括正极探针（110）以及负极探针（111），所述正极探针（110）以及负极探针（111）二者结构相同，且所述正极探针（110）以及负极探针（111）二者的尾端与所述驱动电路板（10）装配的位置开设有插装槽（112），所述正极探针（110）以及负极探针（111）插装于所述插装槽（112）内。3.如权利要求2所述的一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，其特征在于：所述正极探针（110）/负极探针（111）包括探针本体（1100），所述探针本体（1100）的探测端开设有若干个沟槽（1101），且所述探针本体（1100）的尾端固设有插装段（1102）。4.如权利要求3所述的一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，其特征在于：所述正极探针（110）/负极探针（111）的材质为无氧铜材料或者高纯金材料中的一种及其组合。5.如权利要求1所述的一种高功率纳秒级VCSEL激光模组测试装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛海兵，陶良泽，巩少斌，林宇山，
申请(专利权)人：杭州晟创激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：