氯硅烷渣浆的处理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种氯硅烷渣浆的处理方法和装置，处理方法包括：收集冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆；将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆；将闪蒸渣浆进行沉降，得到上清液和沉降渣浆；将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分；将上清液与液相组分混合得到混合液，将混合液进行除铝；将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物；将裂解产物进行分离。通过处理方法可以实现氯硅烷渣浆的回收利用，降低回收成本，提高资源利用率，减少环境污染。环境污染。环境污染。

【技术实现步骤摘要】
氯硅烷渣浆的处理方法和装置


[0001]本专利技术属于有机硅
，具体涉及一种氯硅烷渣浆的处理方法和装置。

技术介绍

[0002]在多晶硅生产过程(包括冷氢化、氯氢化和还原工艺过程)中，会产生部分的氯硅烷聚合物，主要包含由含有Si
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C、Si
‑
Si、Si
‑
C
‑
Si、Si
‑
O
‑
Si键的化合物，比如，采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆，这部分副产不易直接回收利用，通常连同废渣等固体杂质一起排出，进行粗放水解处理，造成资源的浪费及环境问题。现有氯硅烷高沸物的回收过程能耗高，回收成本高，无法满足工业化生产需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种氯硅烷渣浆的处理方法和装置，用以解决采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆不易直接回收利用，易造成资源浪费及环境问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆的处理方法，包括：
[0005]收集冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆；
[0006]将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆；
[0007]将闪蒸渣浆进行沉降，得到上清液和沉降渣浆；
[0008]将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分；
[0009]将上清液与液相组分混合得到混合液，将混合液进行除铝；
[0010]将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物；
[0011]将裂解产物进行分离。
[0012]其中，将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆的步骤包括：
[0013]将氯硅烷渣浆在温度为60
‑
80℃且压力为0.05
‑
0.15Mpa下进行闪蒸，得到闪蒸渣浆。
[0014]其中，将上清液与液相组分混合得到混合液的步骤包括：
[0015]将上清液进行过滤，并将过滤后的上清液与液相组分进行混合得到混合液。
[0016]其中，将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分的步骤包括：
[0017]将沉降渣浆进行干燥分离得到气相组分；
[0018]将气相组分冷凝得到液相组分。
[0019]其中，将气相组分冷凝得到液相组分的步骤包括：
[0020]将气相组分进行过滤；
[0021]将过滤后的气相组分进行冷凝得到液相组分。
[0022]其中，将混合液进行除铝的步骤包括：
[0023]将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物；
[0024]将氯硅烷高沸物进行除铝。
[0025]其中，将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物的步骤包括：
[0026]将混合液在温度为60
‑
80℃且压力为0.1
‑
0.5Mpa下进行蒸发得到氯硅烷高沸物。
[0027]其中，将氯硅烷高沸物进行除铝的步骤包括：
[0028]将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物；
[0029]将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分；
[0030]将气态轻组分进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物；
[0031]将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物的步骤包括：
[0032]将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢进行裂解，得到裂解产物。
[0033]其中，将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物的步骤包括：
[0034]将氯硅烷高沸物在温度为60
‑
80℃且压力为0.1
‑
0.5Mpa下进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物；
[0035]将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分的步骤包括：
[0036]将一次除铝的氯硅烷高沸物在温度为100
‑
160℃且压力为0.2
‑
0.5Mpa下进行蒸发，得到气态轻组分；
[0037]将气态轻组分进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物的步骤包括：
[0038]将气态轻组分在温度为100
‑
160℃且压力为0.2
‑
0.5Mpa下进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物。
[0039]其中，将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢进行裂解，得到裂解产物的步骤包括：
[0040]将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢在催化剂作用下进行裂解，得到裂解产物；
[0041]其中，所述催化剂包括含有季胺基的苯乙烯聚合物、含有季胺基的二乙烯苯聚合物、负载有镍的活性炭、负载有钯的活性炭和负载有铜的活性炭中的至少一种。
[0042]其中，将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢在催化剂作用下进行裂解，得到裂解产物的步骤包括：
[0043]将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢在催化剂作用下，于温度为60
‑
120℃且压力为0.2
‑
0.5MPa下进行裂解，得到裂解产物。
[0044]第二方面，本专利技术实施例提供了一种采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆的处理装置，包括：
[0045]闪蒸罐，所述闪蒸罐具有第一进口、第一出口和第二出口；
[0046]沉降器，所述沉降器具有进料口、上出口和下出口，所述闪蒸罐的第一出口与所述沉降器的进料口连通；
[0047]缓冲罐，所述沉降器的上出口与所述缓冲罐连通；
[0048]干燥机，所述干燥机具有出气口，所述沉降器的下出口与所述干燥机的进口连通；
[0049]冷凝器，所述干燥机的出气口与所述冷凝器的进口连通，所述冷凝器的出口与所述缓冲罐连通；
[0050]除铝装置，所述缓冲罐的出口与所述除铝装置的进口连通；
[0051]反应器，所述除铝装置的出口与所述反应器的进口连通；
[0052]分离塔，所述反应器的出口与所述分离塔的进口连通。
[0053]其中，还包括：
[0054]第一过滤器，所述沉降器的上出口与所述第一过滤器的进口连通，所述第一过滤器的出口与所述缓冲罐连通；
[0055]第二过滤器，所述干燥机的出气口与所述第二过滤器的进口连通，所述第二过滤器的出口与所述冷凝器的进口连通。
[0056]其中，还包括：
[0057]第一蒸发器，所述缓冲罐的出口与所述第一蒸发器的进口连通，所述第一蒸发器的出口与所述除铝装置的进口连通。
[0058]其中，所述除铝装置包括：
[0059]液相除铝塔，所述第一蒸发器的出口与所述液相除铝塔的进口连通；
[0060]第二蒸发器，所述液相除铝塔的出口与所述第二蒸发器的进口连通；
[0061]气相除铝塔，所述气相除铝塔的进口与所述第二蒸发器的出口连通，所述气相除铝塔的出口与所述反应器的进口连通。
[0062]本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆的处理方法，其特征在于，包括：收集冷氢化工艺制备三氯氢硅过程中产生的氯硅烷渣浆；将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆；将闪蒸渣浆进行沉降，得到上清液和沉降渣浆；将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分；将上清液与液相组分混合得到混合液，将混合液进行除铝；将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物；将裂解产物进行分离。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将氯硅烷渣浆进行闪蒸，得到闪蒸渣浆的步骤包括：将氯硅烷渣浆在温度为60
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80℃且压力为0.05
‑
0.15Mpa下进行闪蒸，得到闪蒸渣浆。3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将上清液与液相组分混合得到混合液的步骤包括：将上清液进行过滤，并将过滤后的上清液与液相组分进行混合得到混合液。4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将沉降渣浆进行干燥分离得到液相组分的步骤包括：将沉降渣浆进行干燥分离得到气相组分；将气相组分冷凝得到液相组分。5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，将气相组分冷凝得到液相组分的步骤包括：将气相组分进行过滤；将过滤后的气相组分进行冷凝得到液相组分。6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将混合液进行除铝的步骤包括：将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物；将氯硅烷高沸物进行除铝。7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，将混合液进行蒸发，得到氯硅烷高沸物的步骤包括：将混合液在温度为60
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80℃且压力为0.1
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0.5Mpa下进行蒸发得到氯硅烷高沸物。8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，将氯硅烷高沸物进行除铝的步骤包括：将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物；将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分；将气态轻组分进行气相除铝，得到二次除铝的氯硅烷高沸物；将除铝后的混合液与氯化氢进行裂解，得到裂解产物的步骤包括：将二次除铝的氯硅烷高沸物与氯化氢进行裂解，得到裂解产物。9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，将氯硅烷高沸物进行液相除铝，得到一次除铝的氯硅烷高沸物的步骤包括：将氯硅烷高沸物在温度为60
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80℃且压力为0.1
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0.5Mpa下进行液相除铝，得到一次除
铝的氯硅烷高沸物；将一次除铝的氯硅烷高沸物进行蒸发，得到气态轻组分的步骤包括：将一次除铝的氯硅烷高沸物在温度为100
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160℃且压力为0.2
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋高杰，武珠峰，宋正平，高镇熙，郑宝刚，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：