电子电路和电路元件制造技术

一种制造包括第一器件和至少一个第二器件的电子电路的方法。第一器件包括第一端子、第二端子、以及在第一和第二端子之间提供半导体路径的第一半导体材料主体，第二器件包括第三端子、第四端子、以及在第三端子和第四端子之间提供电阻或半导体电流路径的第二材料主体。该方法包括：形成第一主体；以及形成第二主体，其中第一主体包括第一量的金属氧化物，第二主体包括第二量的所述金属氧化物。公开了相应的电子电路。应的电子电路。应的电子电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子电路和电路元件


[0001]本专利技术涉及电子电路(具体但非排他地涉及柔性集成电路，即柔性IC)，以及这种电路的组件(即元件)。某些实施例涉及集成了两种或多种以下类型的电路元件的电子电路：晶体管；电阻器；和肖特基二极管。因此，本专利技术的某些实施例涉及包括至少一个晶体管和至少一个电阻器的电子电路，并且具体但非排他地涉及包括至少一个晶体管和至少一个电阻器的柔性集成电路。某些实施例涉及电子电路(例如柔性IC)，包括：至少一个晶体管和至少一个肖特基二极管；至少一个电阻器和至少一个肖特基二极管；以及至少一个晶体管、至少一个肖特基二极管和至少一个电阻器。某些实施例涉及双栅极晶体管和包括这种晶体管的电子电路，例如将这种晶体管与至少一个肖特基二极管和/或至少一个电阻器集成的电路。

技术介绍

[0002]尽管柔性集成电路(FlexIC)是公知的，但仍然很少有技术能够制造低成本的FlexIC。大多数FlexIC技术被开发用于显示，而不是数字或模拟处理、传感和通信。最有前途的FlexIC技术之一是基于包含金属氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。这些器件的高透光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造包括第一器件(1、3000)和第二器件(2、3000)的电子电路(或电路模块)(10000)的方法，所述第一器件包括第一端子(11、3001)、第二端子(12、3002)、以及在所述第一和第二端子之间提供半导体路径的第一半导体材料主体(10、3010)，所述第二器件(2、3000)包括第三端子(21、3001)、第四端子(22、3002)、以及在所述第三端子和所述第四端子之间提供电阻或半导体电流路径的第二材料主体(20、3010)，所述方法包括：形成所述第一主体(10、3010)；以及形成所述第二主体(20、3010)，其中所述第一主体包括第一量(100、3100)的金属氧化物，所述第二主体包括第二量(200、3100)的所述金属氧化物。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一主体包括形成所述第一量的所述金属氧化物，并且形成所述第二主体包括形成所述第二量的所述金属氧化物。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一量包括在衬底(例如，柔性衬底)的第一区域(51)上直接或间接地形成所述第一量(100)，并且形成所述第二量包括在所述衬底的第二区域(52)上直接或间接地形成所述第二量(200)。4.根据权利要求2或3中任一项所述的方法，其中所述第一量的所述形成包括使用选自包含以下项的列表的技术来形成所述第一量(100)：物理沉积；物理气相沉积(PVD)；化学沉积；化学气相沉积(CVD)；原子层沉积(ALD)；物理化学沉积；蒸镀；溅射；溶胶
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凝胶技术；化学浴沉积；喷雾热解；电镀技术；脉冲激光沉积(PLD)；溶液处理；和旋涂。5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中所述第二量的所述形成包括使用选自包含以下项的列表的技术来形成所述第二量(200)：物理沉积；物理气相沉积(PVD)；化学沉积；化学气相沉积(CVD)；原子层沉积(ALD)；物理化学沉积；蒸镀；溅射；溶胶
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凝胶技术；化学浴沉积；喷雾热解；电镀技术；脉冲激光沉积(PLD)；溶液处理；和旋涂。6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中形成所述第一量包括沉积所述第一量的所述金属氧化物。7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中形成所述第二量包括沉积所述第二量的所述金属氧化物。8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法，其中所述第一量的所述形成在所述第二量的所述形成之前执行。9.根据权利要求2至8中任一项所述的方法，其中所述第一量的所述形成在所述第二量的所述形成之后执行。10.根据权利要求2至9中任一项所述的方法，其中所述第一量的所述形成包括形成(例如通过沉积或以其他方式形成)所述金属氧化物的第一层、膜或片(1001)，所述第一层、膜或片包括所述第一量(100)。11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第一主体(10)包括图案化所述第一层、膜或片(1001)。12.根据权利要求2至11中任一项所述的方法，其中所述第二量的形成包括形成(例如通过沉积或以其他方式形成)所述金属氧化物的第二层、膜或片(2001)，所述第二层、膜或片包括所述第二量(200)。13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第二主体(2)包括图案化所述第二层、膜或片(2001)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括用第一掺杂物掺杂所述第一材料主体(10)以降低或增加所述第一主体的电导率。15.根据权利要求14所述的方法，其中掺杂所述第一材料主体包括在所述第一掺杂物的源(71)上形成所述第一量(100)。16.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述衬底的所述第一区域(51)上直接或间接地提供所述第一掺杂物的所述源(71)。17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中掺杂所述第一材料主体包括在所述第一材料主体上形成所述第一掺杂物的源。18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括用第二掺杂物掺杂所述第二材料主体(20)以增加或降低所述第二主体的电导率。19.根据权利要求18所述的方法，其中掺杂所述第二材料主体包括在所述第二掺杂物的源(72)上形成所述第二量(200)。20.根据权利要求19所述的方法，还包括在所述衬底的所述第二区域(52)上直接或间接地提供所述第二掺杂物的所述源(72)。21.根据权利要求18至20中任一项所述的方法，其中掺杂所述第二材料主体包括在所述第二材料主体上形成所述第二掺杂物的源。22.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括处理所述第二量(200)的所述金属氧化物以增加或降低所述第二主体的电导率。23.根据权利要求22所述的方法，其中处理所述第二量包括对所述第二量的至少一部分进行退火以增加或降低其电导率。24.根据权利要求22或23所述的方法，其中处理所述第二量包括使所述第二量的至少一部分暴露于电磁辐射。25.根据权利要求24所述的方法，还包括从灯提供所述电磁辐射。26.根据权利要求24所述的方法，还包括从激光器提供所述电磁辐射。27.根据权利要求24至26中任一项所述的方法，还包括对所述第一量(100)的所述金属氧化物的至少一部分屏蔽所述电磁辐射。28.根据权利要求27所述的方法，其中所述屏蔽包括使用所述栅极端子(13)对所述第一量(100)的所述至少一部分屏蔽所述电磁辐射。29.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一和第二主体(10、20)中的每一个包括所述金属氧化物的相应层、膜或片，并且每个所述相应层、膜或片能够具有在1至200nm(例如5至50nm)范围内的厚度。30.根据权利要求29所述的方法，其中每个所述相应层、膜或片具有相同的厚度。31.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德，
申请(专利权)人：务实印刷有限公司，
类型：发明
国别省市：