高功率密度3D半导体模块封装制造技术

我们在此描述了包括至少两个功率半导体器件和第一类型的触点的半导体器件子组件。第一功率半导体器件位于第一类型的触点的第一侧上，第二功率半导体器件位于第一类型的触点的第二侧上，其中，第二侧与第一侧相反。第二侧与第一侧相反。第二侧与第一侧相反。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高功率密度3D半导体模块封装


[0001]本申请涉及半导体模块封装，尤其但不排他地涉及高功率密度、三维模块封装。

技术介绍

[0002]为了满足汽车、航空航天、可再生能源和其他应用的高标准要求，高功率半导体封装面临着各种挑战。人们希望半导体模块应该紧凑且具有高功率密度，并且能够在恶劣环境中运行相对较长的使用寿命(超过15年)。已经提供了各种器件，旨在提高在高温、高湿度水平、高机械冲击和振动、高辐射水平和其他恶劣环境下的操作能力和稳定性。然而，现有的封装结构、材料和技术无法在单一设计中解决所有这些问题。
[0003]图1示出了一种这样的现有技术的器件，它示出了一个封装中的两个半导体芯片，处于平面配置中。每个芯片都连接到两个衬底层，在衬底之一和半导体芯片之间具有间隔件。在许多器件中，衬底是陶瓷。该封装只有一层半导体芯片，因此功率密度有限。
[0004]US 2014/0118956还涉及一种功率半导体模块，其具有用于使用导线附接半导体器件的两层衬底。US 2012/0162931涉及附接到不同衬底上的功率器件和控制器件的组件。US 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件子组件，包括：至少两个功率半导体器件；以及第一类型的触点，其中，第一功率半导体器件位于第一类型的触点的第一侧上，并且其中，第二功率半导体器件位于第一类型的触点的第二侧上，其中，第二侧与第一侧相反。2.根据权利要求1所述的半导体器件子组件，其中，第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均直接连接到第一类型的触点。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件子组件，其中，第一功率半导体器件和第二功率半导体器件以倒装芯片堆叠组件的方式连接到第一类型的触点。4.根据权利要求1所述的半导体器件子组件，包括至少一个衬底结构，其中，衬底结构位于至少一个功率半导体器件与第一类型的触点或第二类型的触点之间。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件子组件，其中，子组件还包括至少两个第二类型的触点，其中，第二类型的触点中的一个连接到第一功率半导体器件的顶侧并且第二类型的触点中的另一个连接到第二功率半导体器件的底侧。6.根据权利要求5所述的半导体器件子组件，还包括位于第二类型的触点的外表面上的散热器。7.根据权利要求5或6所述的半导体器件子组件，还包括间隔件，并且其中，使用间隔件将第二类型的触点彼此电连接。8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件子组件，其中，子组件包括布置成至少两层半导体器件的至少四个半导体器件，以及其中，每层半导体器件内的器件在第一维度上彼此间隔开，以及其中，各层半导体器件在第二维度上彼此间隔开，并且其中，第一维度垂直于第二维度。9.根据权利要求8所述的半导体器件子组件，其中，第一类型的触点连接到所有的所述至少四个半导体器件。10.根据权利要求8或9所述的半导体器件子组件，其中，所述至少四个功率半导体器件并联和/或反并联连接以形成单个开关。11.根据权利要求8所述的半导体器件子组件，其中，子组件包括在第一维度上彼此侧向间隔开的至少两个第一类型的触点，并且其中，来自每层半导体器件的半导体器件连接到每个第一类型的触点。12.根据权利要求11所述的半导体器件子组件，其中，子组件包括至少四个第二类型的触点，以及其中，半导体器件连接到每个第二类型的触点，以及其中，至少两个第二类型的触点连接到两层半导体器件中的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦刚，罗海辉，刘国友，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：