一种MWT-HJT电池结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种MWT

【技术实现步骤摘要】
一种MWT
‑
HJT电池结构


[0001]本技术涉及一种MWT
‑
HJT电池结构，属于太阳能电池生产


技术介绍

[0002]HJT电池具有高转换效率、低温度系数、低衰减、弱光性好等优点，但目前成本较高，性价比相对较差，且面对屋顶、建筑物侧立面等单面受光应用领域，其双面的优势也无法发挥，MWT电池技术是一种背接触技术，相比IBC结构，工艺简单成本低，本技术提出的这种结构设计将MWT和HJT电池技术相结合，一方面能够发挥HJT电池的优势，一方面MWT电池的技术特性和其独特的背接触组件封装方式可以与HJT电池的完美结合且更能发挥其薄片优势，通过电池背面结构的创新性设计，和背面组件封装技术的创新设计，可大幅度降低MWT
‑
HJT电池组件产品的成本。

技术实现思路

[0003]解决上述技术问题，本技术将MWT和HJT电池技术结合，充分发挥MWT电池的全背面组件封装优势，开发出一种全新的结构设计及制备工艺，简化了工艺，减少了电池的银浆用量，大幅降低成本，利于HJT电池的产业化。
[0004]本技术为一种MWT
‑
HJT电池制备方法，所述方法包括以下步骤：
[0005]S01，对硅片进行激光打孔；
[0006]S02，对单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，形成金字塔绒面；
[0007]S03，双面沉积本征非晶硅层；
[0008]S04，正面进行非晶硅沉积；
[0009]S05，背面进行非晶硅沉积；
[0010]S06，正面进行TCO沉积；
[0011]S07，背面进行铝膜沉积；
[0012]S08，背面在所述孔位置周围印刷刻蚀浆料进行铝膜的局部刻蚀；
[0013]S09，将堵孔浆料从背面印刷入在硅片激光钻的孔中；
[0014]S10，丝网印刷正面导电银浆；
[0015]S11，组件封装。
[0016]进一步的，所述步骤S01中，所述硅片为N型或者P型硅片。
[0017]进一步的，所述步骤S04中的非晶硅为N型非晶硅或者P型非晶硅。
[0018]作为本申请的一种优选实施方案，当所述步骤S04采用P型非晶硅沉积时，所述步骤S05为对背面进行N型非晶硅沉积；
[0019]当所述步骤S04采用N型非晶硅沉积时，所述步骤S05为对背面进行P型非晶硅沉积。
[0020]基于上述制备方法，本申请还提供一种MWT
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HJT电池结构，所述结构包括自上而下
依次设置的正面TCO层、正面非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面非晶硅层、背面铝薄膜。
[0021]进一步的，所述正面非晶硅层为N型非晶硅层或者P型非晶硅层。
[0022]进一步的，如果采用P型非晶硅层，则背面非晶硅层为N型非晶硅沉积层；如果正面采用N型非晶硅层，则背面非晶硅层为P型非晶硅沉积层。
[0023]作为本申请的一种优选实施方案，所述电池结构的正面电极为丝网丝印低温银浆，通过制绒前在硅片上制备的孔洞，汇聚贯穿到背面；背面电极为铝薄膜，背面的正负极之间有绝缘隔离。
[0024]本申请还提供一种电池组件制备方法，所述电池组件采用如上述MWT
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HJT电池结构，所述制备方法包括以下步骤：
[0025]S101依次平放背板、第一背面导电箔、背面导电胶、背面隔离膜、第二背面导电箔、背面导电胶点阵、MWT
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HJT电池片、正面封装胶膜、玻璃；
[0026]S102进入组件层压机进行组件封装。
[0027]进一步的，第一背面导电箔和第二背面导电箔为相同成分或者不同成分，为铜箔、铝箔或者两者的复合箔。
[0028]与传统MWT电池相比，本技术提出的MWT
‑
HJT电池结构以及工艺制备方法，具备如下有益效果：
[0029]1、具有HJT电池的高效率、低衰减、低温度系数，提高综合发电量；
[0030]2、MWT和HJT都具有薄片化优势，可兼容100微米厚度硅片，进一步降低成本；
[0031]3、与HJT电池相比少了背面TCO和低温银浆的金属化，具有更低的成本。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本技术中的技术方案，下面将对本技术中所需要使用的附图进行简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其它附图。
[0033]图1为本技术提供的MWT
‑
HJT电池结构示意图；
[0034]图中，1
‑
正面电极，2
‑ꢀ
TCO层，3
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正面N型非晶硅层，4
‑
正面P型非晶硅层，5
‑
硅片，6
‑
背面N型非晶硅层，7
‑
背面P型非晶硅层，8
‑
背面铝薄膜，9
‑
堵孔浆料，10
‑
绝缘区域。
具体实施方式
[0035]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域的技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0036]实施例一：
[0037]本技术为一种MWT
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HJT电池制备方法，所述方法包括以下步骤：
[0038]S01，对硅片进行激光打孔，本实施例中硅片基片包含N型或者P型；
[0039]S02，对单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，形
成金字塔绒面；
[0040]S03，双面沉积本征非晶硅层；
[0041]S04，正面进行非晶硅沉积；
[0042]S05，背面进行非晶硅沉积；
[0043]S06，正面进行TCO沉积；
[0044]S07，背面进行铝膜沉积；
[0045]S08，背面在所述孔位置周围印刷刻蚀浆料进行铝膜的局部刻蚀；
[0046]S09，将堵孔浆料从背面印刷入在硅片激光钻的孔中；
[0047]S10，丝网印刷正面导电银浆；
[0048]S11，组件封装。
[0049]进一步的，所述步骤S01中，所述硅片为N型或者P型硅片。
[0050]进一步的，所述步骤S04中的非晶硅为N型非晶硅或者P型非晶硅。
[0051]作为本申请的一种优选实施方案，当所述步骤S04采用P型非晶硅沉积时，所述步骤S05为对背面进行N型非晶硅沉积；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MWT
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HJT电池结构，其特征在于，所述结构包括自上而下依次设置的正面TCO层、正面非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面非晶硅层、背面铝薄膜。2.根据权利要求1所述的一种MWT
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HJT电池结构，其特征在于，所述正面非晶硅层为N型非晶硅层或者P型非晶硅层。3.根据权利要求2所述的一种MWT
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【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，吴仕梁，张凤鸣，
申请(专利权)人：江苏日托光伏科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：