一种低功率组合式非对称半桥反激变换器及其控制方法技术

本发明专利技术提供一种低功率组合式非对称半桥反激变换器及其控制方法，所述低功率组合式非对称半桥反激变换器包括：主电路，所述主电路包括x个依次串联的不对称半桥反激模块，x为大于1的整数；所述不对称半桥反激模块包括一个半桥，一个谐振回路，一个多绕组变压器和N2个副边整流模块，N2为大于1的整数；所述x个串联的不对称半桥反激模块输入串联输出并联，包含一个高压输入端口，所述至少两个副边整流模块输出并联组成N2路输出端口。本发明专利技术的低功率组合式非对称半桥反激变换器利用多绕组变压器降低了开关管电压应力，满足选型要求；实现了不对称半桥反激模块中每个开关管的ZVS条件，从而提高传输效率，增大功率密度。增大功率密度。增大功率密度。

【技术实现步骤摘要】
一种低功率组合式非对称半桥反激变换器及其控制方法


[0001]本专利技术属于开关电源领域，特别涉及一种适用高压输入、低压输出的低功率组合式非对称半桥反激变换器。

技术介绍

[0002]近年来，高直流输入电压的应用逐渐增多，开关管的大电压应力是高压DC/DC变换器的瓶颈之一。一种解决方案是如A. Marzoughi, R. Burgos and D. Boroyevich（“Active Gate
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Driver With dv/dt Controller for Dynamic Voltage Balancing in Series
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Connected SiC MOSFETs,
”ꢀ
in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 66, no. 4, pp. 2488
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2498, April 2019.）等提出的使用电源开关串联的方案，但为了实现每个开关的电压平衡，必须引入一些特殊的无源或有源平衡方法，这会导致额本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，包括：主电路，所述主电路包括x个依次串联的不对称半桥反激模块，x为大于1的整数；所述不对称半桥反激模块包括一个半桥，一个谐振回路，一个多绕组变压器和N2个副边整流模块，N2为大于1的整数；所述x个依次串联的不对称半桥反激模块输入串联输出并联，包含一个高压输入端口，所述N2个副边整流模块输出并联组成N2路输出端口。2.根据权利要求1所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，所述半桥包括串联的主开关管和非主开关管；所述非主开关管的第一电极和第二电极之间依次串联有漏感、励磁电感和谐振电容，所述第一电极连接所述漏感的第一端，所述漏感的第二端连接所述励磁电感的第一端，所述励磁电感的第二端连接所述谐振电容的第一端，所述谐振电容的第二端连接所述第二电极。3.根据权利要求2所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，所述半桥并联有一个电容。4.根据权利要求3所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，所述多绕组变压器包括所述漏感和励磁电感；所述励磁电感与所述多绕组变压器的原边绕组并联。5.根据权利要求4所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，每一个所述副边整流模块均包括一个所述多绕组变压器的副边绕组；所述副边绕组的第一端连接开关器件的第一电极，所述开关器件的第二电极连接输出电容的第一端，所述输出电容的第二端连接所述副边绕组的第二端。6.根据权利要求2
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5任一所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，所述x个依次串联的不对称半桥反激模块中，前一个所述不对称半桥反激模块中的所述非主开关管的第二电极连接后一个所述不对称半桥反激模块中的所述主开关管的第一电极；所述x个依次串联的不对称半桥反激模块中，第一个所述不对称半桥反激模块中的所述主开关管的第一电极和最后一个所述不对称半桥反激模块中的所述另一开关管的第二电极为所述高压输入端口。7.根据权利要求6所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，所述x个依次串联的不对称半桥反激模块中，每个所述不对称半桥反激模块均具有N2个副边整流模块；各所述不对称半桥反激模块中的第i个副边整流模块并联，1≤i≤N2，共构成N2路输出端口，所述不对称半桥反激模块中每一个所述副边整流模块中的所述输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彪，崔彬，屈鲁，汤雪腾，余占清，曾嵘，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：