光电探测器制造技术

本发明专利技术的光电探测器包括设置在半导体基板上的多个光电转换部，所述光电转换部分别包括：第一导电类型的第一区域，设置在所述半导体基板的第一表面侧；第二导电类型的第二区域，设置在所述半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面侧；第三导电类型的第三区域，设置在所述半导体基板的所述第一区域与所述第二区域之间的区域中，并且吸收入射光；第一电极，从所述第一表面侧电连接至所述第一区域；以及第二电极，从所述第二表面侧电连接至所述第二区域。第二区域。第二区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电探测器


[0001]本专利技术涉及一种光电探测器。

技术介绍

[0002]近年来，已经提出了可用于成像和传感应用的光电探测器。具体地，已经提出了一种将入射光量检测为电流或电压的动态变化的光电探测器(例如，专利文献1)。这种光电探测器能够用作光子计数传感器、ToF(飞行时间)传感器等。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开WO 2018/167567
[0006]非专利文献
[0007]非专利文献1：Okhonin et al.,“A dynamic operation of a PIN photodiode”Applied Physics Letters,(the United States of America),2015,106,031115

技术实现思路

[0008]期望研究应用于图像传感器等的光电探测器的具体结构。例如，期望研究应用于多个像素布置成矩阵状的像素阵列的上述光电探测器的结构。
[0009]因此，期望提供一种能够提高像素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电探测器，包括：设置于半导体基板的多个光电转换部，其中，各所述光电转换部包括第一导电类型的第一区域，设置在所述半导体基板的第一表面所在侧，第二导电类型的第二区域，设置在所述半导体基板的与所述第一表面相对的第二表面所在侧，第三导电类型的第三区域，设置在所述半导体基板的位于所述第一区域与所述第二区域之间的区域中，所述第三区域吸收入射光，第一电极，从所述第一表面所在侧电连接至所述第一区域，以及第二电极，从所述第二表面所在侧电连接至所述第二区域。2.根据权利要求1所述的光电探测器，还包括具有绝缘特性的像素隔离层，所述像素隔离层在所述半导体基板的厚度方向上延伸，其中，各个所述光电转换部被所述像素隔离层彼此电气隔离。3.根据权利要求2所述的光电探测器，还包括第三电极，所述第三电极设置在所述像素隔离层内。4.根据权利要求2所述的光电探测器，还包括金属层，所述金属层设置在所述像素隔离层内。5.根据权利要求2所述的光电探测器，其中，所述第一电极在所述第一表面上设置为跨越所述像素隔离层，并且所述第一电极电连接至相邻的各所述光电转换部的所述第一区域。6.根据权利要求1所述的光电探测器，还包括栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜设置在所述半导体基板的所述第二表面。7.根据权利要求6所述的光电探测器，其中，所述栅极电极包括垂直栅极电极，所述垂直栅极电极是通过在所述厚度方向上挖掘所述半导体基板而设置的。8.根据权利要求1所述的光电探测器，还包括所述第一导电类型的电势控制区域，所述电势控制区域设置在所述半导体基板的所述第二表面所在侧，所述第二区域和绝缘层设置在所述电势控制区域之间，所述电势控制区域被构造用于控制电势。9.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，不同的所述光电转换部的所述第一区域和所述第二区域在所述半导体基板的厚度方向上的形成深度是彼此不同的。10.根据权利要求1所述的光电探测器，还包括多层布线层，所述多层布线层堆叠在所述半导体基板的所述第二表面上。11.根据权利要求10所述的光电探测器，其中，所述多层布线层包括遮光结构，所述遮光结构在所述半导体基板的面...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨崎嵩宏，永广侯治，大理洋征龙，宫田里江，三浦隆博，吉村尚郎，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：