电磁波检测器制造技术

检测灵敏度高并且能够进行关断动作的使用二维材料层的电磁波检测器具备受光元件(4)、绝缘膜(3)、二维材料层(1)、第1电极部(2a)以及第2电极部(2b)。受光元件(4)包括第1导电类型的第1半导体部分(4a)和第2半导体部分(4b)。第2半导体部分(4b)与第1半导体部分(4a)接合。第2半导体部分(4b)是第2导电类型。绝缘膜(3)配置于受光元件(4)上。在绝缘膜(3)形成有开口部(3a)。二维材料层(1)在开口部(3a)与第1半导体部分(4a)电连接。二维材料层(1)从开口部(3a)上延伸至绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)配置于绝缘膜(3)上。第1电极部(2a)与二维材料层(1)电连接。第2电极部(2b)与第2半导体部分(4b)电连接。(4b)电连接。(4b)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波检测器


[0001]本公开涉及电磁波检测器。

技术介绍

[0002]以往，作为在下一代的电磁波检测器中使用的电磁波检测层的材料，已知作为二维材料层的一个例子的迁移率极高的石墨烯。石墨烯的吸收率低到2.3％。因此，提出了使用石墨烯的电磁波检测器中的高灵敏度化手法。例如，在美国专利申请公开2015/0243826A1中，提出了如下述的构造的检测器。即，在美国专利申请公开2015/0243826A1中，在n型半导体层上设置有2个以上的电介质层。在2个电介质层上以及位于该2个电介质层之间的n型半导体层的表面部分上形成有石墨烯层。与石墨烯层的两端连接的源极/漏极电极配置于电介质层上。栅极电极与n型半导体层连接。
[0003]在上述检测器中，对作为沟道的石墨烯层经由源极/漏极电极施加电压。其结果，通过放大在n型半导体层中产生的光载流子来进行检测器的高灵敏度化。另外，在对栅极电极和源极电极或者漏极电极施加电压的情况下，能够通过石墨烯和n型半导体层的肖特基连接进行关断动作。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电磁波检测器，具备：受光元件，包括第1导电类型的第1半导体部分和与所述第1半导体部分接合的第2导电类型的第2半导体部分；绝缘膜，配置于所述受光元件上，形成有开口部；二维材料层，在所述开口部与所述第1半导体部分电连接，从所述开口部上延伸至所述绝缘膜上；第1电极部，配置于所述绝缘膜上，与所述二维材料层电连接；以及第2电极部，与所述第2半导体部分电连接。2.根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，所述绝缘膜配置于所述第1半导体部分上，所述第1半导体部分在所述开口部与所述二维材料层电连接。3.根据权利要求1或者2所述的电磁波检测器，其中，所述第1半导体部分配置于所述第2半导体部分上，所述第2电极部设置于在所述第2半导体部分中与配置所述第1半导体部分的一侧相反的一侧，与所述第2半导体部分电连接。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，所述受光元件包括位于与所述绝缘膜对置的区域、以包围所述开口部的外周的方式配置的电流切断构造。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，具备在所述开口部的内部配置于所述二维材料层与所述受光元件之间的缓冲层。6.根据权利要求5所述的电磁波检测器，其中，所述缓冲层具有能够在所述二维材料层与所述受光元件之间形成隧道电流的厚度。7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，具备在所述开口部的内部将所述受光元件和所述二维材料层电连接的连接导电体。8.根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，所述受光元件包括：第3半导体部分，具有所述第1导电类型；以及第4半导体部分，与所述第3半导体部分接合，具有所述第2导电类型，在所述开口部的底部，以面对所述二维材料层的方式配置有所述第3半导体部分与所述第4半导体部分的接合部的一部分和与所述接合部连接的所述第3半导体部分的一部分以及所述第4半导体部分的一部分。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的电磁波检测器，其中，所述受光元件是光电二极管。10.根据权利要求1所述的电磁波检测器，其中，所述绝缘膜形成于在所述第1半导体部分中位于与和所述第2半导体部分接合的接合部相反的一侧的表面上，所述受光元件还包括第5...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛谷政彰，小川新平，福岛昌一郎，奥田聪志，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：