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本发明的光电探测器包括设置在半导体基板上的多个光电转换部，所述光电转换部分别包括：第一导电类型的第一区域，设置在所述半导体基板的第一表面侧；第二导电类型的第二区域，设置在所述半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面侧；第三导电类型的第三区域...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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