半导体器件以及制造半导体器件的方法技术

一种半导体器件，包括半导体衬底、第一及第二氮化物半导体层、源极/漏极电极、栅极电极以及第一钝化层。第一氮化物半导体层配置在半导体衬底的上方。第二氮化物半导体层配置在第一氮化物半导体层上，且第二氮化物半导体层的能带隙大于第一氮化物半导体层的能带隙，以形成二维电子气区域。源极/漏极配置在第二氮化物半导体层的上方。栅极电极配置在源极/漏极电极之间。第一钝化层配置在第二氮化物半导体层的上方。第一、第二氮化物半导体层以及第一钝化层的边缘共同在半导体衬底上方形成阶梯状侧壁。阶梯状侧壁包括至少一横向延伸部以及连接横向延伸部的至少两个上升部。连接横向延伸部的至少两个上升部。连接横向延伸部的至少两个上升部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件以及制造半导体器件的方法


[0001]本专利技术总体来说为涉及半导体器件。更具体地说，本专利技术涉及具有阶梯式侧壁的高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的半导体器件。

技术介绍

[0002]近年来，在例如是高功率开关、高频应用器件等半导体器件领域中，开始盛行对高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor；HEMT)的深度研究。HEMT利用具有不同能带隙的两种材料之间的异质结(heterojunction)来形成类似于量子阱(quantum well)的结构，其可以容许形成一个二维电子气(two
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dimensional electron gas；2DEG)区域以满足高功率/高频率器件的需求。除了HEMT外，具有异质结结构的器件，其实例还包括：异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor；HBT)、异质结场效应晶体管(heterojunction field effect tr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；第一氮化物半导体层，配置在所述半导体衬底的上方；第二氮化物半导体层，配置在所述第一氮化物半导体层上，且所述第二氮化物半导体层的能带隙比所述第一氮化物半导体层的能带隙大，以在所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间形成具有二维电子气区域的异质结；一对源极/漏极电极，配置在所述第二氮化物半导体层的上方；栅极电极，配置在所述第二氮化物半导体层的上方并未于所述源极/漏极电极之间；以及第一钝化层，配置在所述第二氮化物半导体层、所述源极/漏极电极以及所述栅极电极的上方，其中所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层以及所述第一钝化层的边缘共同在所述半导体衬底上形成阶梯式侧壁，且所述阶梯式侧壁包括至少一横向延伸部以及至少二个上升部，且所述二个上升部连接所述横向延伸部。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层在其边缘具有横向延伸区域，所述横向延伸区域形成所述阶梯式侧壁的所述二个上升部。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层具有上侧面以及下侧面，且所述上侧面以及所述下侧面各自连接所述横向延伸区域的相反两侧，且所述第一氮化物半导体层的所述下侧面和所述半导体衬底的侧面具有连续的轮廓(continuous profile)。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层在其边缘具有横向延伸区域，所述横向延伸区域形成所述阶梯式侧壁的所述二个上升部。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层具有上侧面以及下侧面，且所述上侧面和所述下侧面各自连接所述横向延伸区域的相反两侧，且所述第一钝化层的所述下侧面以及所述半导体衬底的侧面形成相同的所述上升部。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层以及所述第一钝化层各自在其边缘具有第一横向延伸区域和第二横向延伸区域，以形成多个阶梯。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层具有下侧面，所述第一氮化物半导体层具有上侧面，其低于所述第一钝化层的所述下侧面，且所述第一钝化层的所述下侧面以及所述第一氮化物半导体层的所述上侧面位于所述第一横向延伸区域和所述第二横向延伸区域之间。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：共形钝化层，配置于所述第一钝化层的上方，所述共形钝化层从所述阶梯状侧壁上方的位置沿着所述阶梯状侧壁朝下延伸至所述半导体衬底。9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底具有凹处，所述凹处容置所述共形钝化层，且每个所述上升部与所述凹处的底面形成钝角。10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括：多个第一过孔，穿过所述第一钝化层并各自连接源极/漏极电极以及栅极电极；第一图案化导电层，在所述第一钝化层上，所述多个第一过孔各自连接所述第一图案化导电层；
第二钝化层，配置在所述第一钝化层上并覆盖所述金属线；多个第二过孔，穿过所述第二钝化层并连接所述第一图案化导电层；以及第二图案化导电层，配置在所述第二钝化层上并覆盖所述多个第二过孔，其中所述共形钝化层从所述第二图案化导电层上方的位置向下延伸。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底具有凹处，所述凹处容置所述第二图案化导电层，所述第二图案化导电层延伸并覆盖于所述凹处中共同形成边界的侧面以及底面。12.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底和所述共形钝化层具有连续的末端侧面。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉龙，欧阳爵，黄巍，游政昇，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：