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一种半导体器件，包括半导体衬底、第一及第二氮化物半导体层、源极/漏极电极、栅极电极以及第一钝化层。第一氮化物半导体层配置在半导体衬底的上方。第二氮化物半导体层配置在第一氮化物半导体层上，且第二氮化物半导体层的能带隙大于第一氮化物半导体层的能...
该专利属于英诺赛科（苏州）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）科技有限公司授权不得商用。

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