【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[0001]本专利技术涉及一种防止高电子迁移率晶体管栅极漏电的制作方法和结构。
技术介绍
[0002]III-V族半导体化合物由于其半导体特性而可应用于形成许多种类的集成电路装置,例如高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)。在高电子迁移率晶体管中,两种不同能带隙(band-gap)的半导体材料是结合而于结(junction)形成异质结(heterojunction)而为载流子提供通道。近年来,氮化镓系列的材料由于拥有较宽能隙与饱和速率高的特点而适合应用于高功率与高频率产品。氮化镓系列的高电子迁移率晶体管由材料本身的压电效应产生二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG),相较于传统晶体管,高电子迁移率晶体管的电子速度及密度均较高,故可用以增加切换速度。
[0003]然而高电子迁移率晶体管的栅极底部的转角处经常会有漏电流发生,影响高电子迁移率晶体管的效能。 >
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管,其特征在于,包含:第一III-V族化合物层;第二III-V族化合物层,设置于该第一III-V族化合物层上,该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同;沟槽,设置于该第二III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层中,其中该沟槽具有第一转角和第二转角都位于该第一III-V族化合物层中,该第一转角由第一侧壁和底面组成,该第二转角由第二侧壁和该底面组成;第一介电层,接触该第一侧壁,第二介电层接触该第二侧壁并且该第一介电层和该第二介电层都位于该沟槽之外;栅极,设置于该沟槽内;源极电极,设置于该栅极的一侧;漏极电极,设置于该栅极的另一侧;以及栅极电极,设置该栅极的正上方。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,其中全部的该底面接触该第一III-V族化合物层。3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,其中该栅极为具有P型掺质的III-V族化合物层,该具有P型掺质的III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层由相同的第III族和第V族元素组成。4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,另包含第三III-V族化合物层,设置于该沟槽中并且位于该沟槽和该栅极之间。5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管,其中部分的该第三III-V族化合物层接触第一III-V族化合物层。6.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管,其中该第三III-V族化合物层和该第二III-V族化合物层由相同的第III族和第V族元素组成。7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,其中该第一III-V族化合物层为氮化镓,该第二III-V族化合物层包含氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓或氮化铝。8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,其中该第一介电层具有第一表面和第二表面,该第一表面接触该第一侧壁,该第一表面和该第二表面相对,该第二介电层具有第三表面和第四表面,该第三表面接触该第二侧壁,该第三表面和该第四表面相对,该第一表面和该第三表面之间具有第一距离,该第二表面和该第四表面之间具有第二距离,该第二距离是第一距离的1.01至1.2倍。9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,其中位于该第二III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层中的该沟槽具有一深度,该第二III-V族化合物层具有一厚度,该深度为该厚度的1.05至1.8倍。10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,另包含保护层,覆盖该第二III-V族化合物层。11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管,其中该第一介电层包含SiN、SiO2、SiON、SiOCN、AlN、Al2O3、AlON或...
【专利技术属性】
技术研发人员:张智伟,锺耀贤,苏士炜,张豪轩,林大钧,简廷安,蔡滨祥,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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