一种InPHEMT外延结构制造技术

本发明专利技术公开一种InP HEMT外延结构，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si

【技术实现步骤摘要】
一种InP HEMT外延结构


[0001]本专利技术涉及三五族化合物半导体外延材料及空间抗辐射领域，特别涉及一种InP HEMT外延结构。

技术介绍

[0002]HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)是上世纪80年代初发展起来的一种异质结半导体器件，又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2
‑
DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频(毫米波)、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来(2DEG)工作的。PHEMT是对高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管(PMODFET)。
[0003]以InP基材料为基础的高电子迁移率晶体管利用InGaAs沟道具有的高迁移率二维电子气(2DEG)来工作，使其具有高速高频、高功率增益、低噪声及低功耗等特点，非常适合制作毫米波太赫兹波低噪声放大器电路和系统，广泛应用在雷达、通信、导航、安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种InP HEMT外延结构，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si
‑
δ掺杂层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层、第二隔离层、第二Si
‑
δ掺杂层、第二势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层；其中，所述第一沟道层的材料为In
x
Ga1‑
x
As，0.5≤x≤0.8，所述第二沟道层的材料为In
y
Ga1‑
y
As，0.7≤y≤1，所述第三沟道层的材料为In
z
Ga1‑
z
As，0.5≤z≤0.8，所述第一Si
‑
δ掺杂层和所述第二Si
‑
δ掺杂层的掺杂浓度均为3
×
10
12
～7
×
10
12
cm
‑2。2.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第二沟道层的材料为InAs。3.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，还包括第三Si
‑
δ掺杂层，所述第三Si
‑
δ掺杂层设于所述第一隔离层和所述第一沟道层之间，所述第三Si
‑
δ掺杂层的掺杂浓度为3
×
10
12
～7
×
10
12
cm
‑2。4.如权利要求1所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述第二缓冲层为超晶格缓冲层。5.如权利要求4所述的InP HEMT外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层的材料为In
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【专利技术属性】
技术研发人员：周书星，曹文彧，魏彦锋，陈传亮，张欣，
申请(专利权)人：湖北文理学院，
类型：发明
国别省市：