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本发明公开一种InP HEMT外延结构，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si
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该专利属于湖北文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过湖北文理学院授权不得商用。

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