存储器设备及其操作方法技术

本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。一种存储器设备包括：公共源极线、存储器单元阵列、位线和导电层。公共源极线被形成在衬底上。存储器单元阵列被形成在公共源极线上。位线被连接到存储器单元阵列。导电层被形成在位线之上。在擦除操作中，存储器设备通过增加施加到导电层的电压，通过电容耦合将位线的电压增加到擦除电压。的电压增加到擦除电压。的电压增加到擦除电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月1日提交的第10
‑
2020
‑
0166027号韩国专利申请的优先权，其通过整体引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及存储器设备，并且更具体地，涉及三维存储器设备及其操作方法。

技术介绍

[0004]存储器设备包括能够存储数据的存储器单元。为了提高存储器单元的集成度，提出了三维存储器设备。
[0005]三维存储器设备可以包括通过在竖直方向上延伸的沟道结构串联连接的多个存储器单元。存储在三维存储器设备的存储器单元中的数据可以通过使用栅极感应漏极泄漏(GIDL)电流生成空穴的GIDL擦除操作来擦除。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例提供具有改进的擦除性能的存储器设备及其操作方法。
[0007]根据本公开的一方面，提供了一种存储器设备，包括：形成在衬底上的公共源极线；形成在公共源极线上的存储器单元阵列；连接到存储器单元阵列的位线；以及形成在位线之上的导电层，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：形成在衬底上的公共源极线；形成在所述公共源极线上的存储器单元阵列；连接到所述存储器单元阵列的位线；以及形成在所述位线之上的导电层，其中所述存储器设备被配置为通过在擦除操作中增加施加到所述导电层的电压，通过在所述导电层与所述位线之间的电容耦合将所述位线的电压增加到擦除电压。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述存储器单元阵列包括：栅极堆叠结构，包括交替地堆叠的层间绝缘层和导电图案；以及沟道结构，在穿透所述栅极堆叠结构的同时连接到所述公共源极线，并且其中所述沟道结构中的每个沟道结构被连接到所述位线中与该沟道结构相对应的位线。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述公共源极线包括不与所述栅极堆叠结构重叠的接触区域。4.根据权利要求3所述的存储器设备，还包括导电源极接触结构，所述导电源极接触结构从所述公共源极线的所述接触区域朝向所述导电层延伸。5.根据权利要求4所述的存储器设备，还包括：外围电路，包括源极线驱动器，所述源极线驱动器被配置为将擦除电压提供到所述公共源极线或者将所述公共源极线放电；以及内部电压生成器，被配置为将内部电压提供到所述外围电路。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述导电层将所述公共源极线连接到所述源极线驱动器。7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述导电层将所述内部电压生成器连接到所述外围电路。8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在所述擦除操作中，所述存储器设备还被配置为将初始化电压施加到所述位线，并且在所述位线的所述电压的增加之前使所述位线浮置，以及其中，所述存储器设备通过增加所述导电层的所述电压来将所述位线的所述电压从所述初始化电压增加到所述擦除电压。9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述存储器设备通过以下方式增加所述位线的所述电压：将第一电压施加到所述位线中的第一位线，所述第一位线连接到擦除验证操作已经通过的存储器串；将高于所述第一电压的第二电压施加到所述位线中的第二位线，所述第二位线连接到所述擦除验证操作已经失败的存储器串；使所述第一位线和所述第二位线浮置；以及通过增加所述导电层的所述电压，将所述第一位线的电压从所述第一电压增加到第一擦除电压，以及将所述第二位线的电压从所述第二电压增加到高于所述第一擦除电压的第
二擦除电压。10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述存储器设备通过以下方式增加所述位线的所述电压：将第一电压施加到所述位线中的第一位线，所述第一位线连接到擦除验证操作已经通过的存储器串；将高于所述第一电压的第二电压施加到所述位线中的第二位线，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在雄，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：