气体传感器的制备方法以及气体传感器技术

本发明专利技术提供一种气体传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有绝缘层，以及绝缘层表面的源极、栅极和漏极；在栅极表面电镀金属掩膜；在电极表面修饰阻挡层；去除金属掩膜并同时去除金属掩膜表面的阻挡层；在阻挡层未覆盖的区域生长介电层，所述介电层包覆所述栅极；去除阻挡层以暴露出源极和漏极；在源极、漏极以及介电层表面形成导电气敏层。上述结构的导电气敏层完全暴露在外，可以最大程度的与空气接触，提高了导电气敏层的作用面积，有效提升了气体传感器的性能。并且通过上述技术方案所述的方法，解决了上述结构中的技术难题，即如何实现介电层覆盖绝缘层的同时，所述介电层在金属电极上的区域选择性生长的问题。的区域选择性生长的问题。的区域选择性生长的问题。

【技术实现步骤摘要】
气体传感器的制备方法以及气体传感器


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种气体传感器的制备方法以及气体传感器。

技术介绍

[0002]传统的石墨烯气体传感器采用氧化硅作为栅极介电层，其介电常数较低，限制了气体传感器的性能。为了提高气体传感器的性能，应选用高介电常数介电层，并选用金属栅极与之进行电学匹配。在器件制备中，涉及到介电层的区域选择性生长的问题。目前常用的两种方法：光刻
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剥离技术和光刻
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刻蚀技术，都涉及到无法精确图形化的问题，并且两种方法工艺流程复杂，制备成本高。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种气体传感器的制备方法以及气体传感器，能够提高气体传感器性能以及介电层的区域选择性生长的问题。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供一种气体传感器的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有绝缘层，以及绝缘层表面的源极、栅极和漏极；在栅极表面电镀金属掩膜；在电极表面修饰阻挡层；去除金属掩膜并同时去除金属掩膜表面的阻挡层；在阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有绝缘层，以及绝缘层表面的源极、栅极和漏极；在栅极表面电镀金属掩膜；在电极表面修饰阻挡层；去除金属掩膜并同时去除金属掩膜表面的阻挡层；在阻挡层未覆盖的区域生长介电层，所述介电层包覆所述栅极；去除阻挡层以暴露出源极和漏极；在源极、漏极以及介电层表面形成导电气敏层。2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所采用的腐蚀液是金属离子溶液，所述金属离子被配置为能够通过离子置换的化学反应除去所述金属掩膜的金属离子。3.根据权利要求2中所述的方法，其特征在于，所述金属掩膜的材料为Cu，所述去除金属掩膜的步骤采用Fe
3+
溶液。4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述去除金属掩膜的步骤采用湿法刻蚀方法。5.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述阻挡层采用十二烷基硫醇或十八烷基磷酸。6.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述介电层采用HfO2材料。7.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述导电气敏层采用石墨烯材料。8.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述栅极表面电镀金属掩膜的步骤进一步是：仅将所述栅极通电作为电镀阳极，以实现...

【专利技术属性】
技术研发人员：田旺，曾怀望，汪浩鹏，崔进，高贤永，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：