【技术实现步骤摘要】
一种承载台及晶圆检测设备
[0001]本技术涉及半导体制造
,具体涉及一种承载台及晶圆检测设备。
技术介绍
[0002]半导体工业中,集成电路是在晶圆上采用多个不同的处理步骤制造而成。每一步骤可能涉及不同的加工设备,这使得晶圆需要在不同的加工设备中转移。晶圆由传递设备搬运至各加工设备内进行与各加工设备对应的工艺处理,在各加工设备内通常设置有承载台用于承载晶圆,为了对承载台上的晶圆进行工艺处理,需要将晶圆正确的放置在承载台上而不能有位置偏移,一旦晶圆偏离正确的位置,就会对工艺的可靠性和工艺效果造成不良影响。
[0003]例如,在晶圆的检查步骤中,需要晶圆检测装置对晶圆进行边缘或者表面的检测。目前,公知的晶圆检测的方法是利用照相机等摄影部件拍摄晶圆的外周边缘部或者表面,根据得到的图像来检测晶圆的边缘或者表面。然而,晶圆在进行检测时,若与承载台不对中,也即出现偏心的情形,会导致所获取的图像出现异常。出现这种情况时,需要工程师手动干预测量,这会导致大量的人工介入,不但会影响晶圆检测的效率,并且会导致晶圆检测设备的出现误 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种承载台,用于承载晶圆,其特征在于,包括:本体,承载面,所述本体与所述晶圆接触的面;所述承载面上开设有至少两个环形真空圈,所述环形真空圈用于吸附所述晶圆;所述承载面上还开设有若干个压缩空气出口,用于让所述晶圆发生气浮。2.如权利要求1所述的承载台,其特征在于,所述承载面上开设有两个所述环形真空圈,最外侧的所述环形真空圈为第一真空圈,以及位于所述第一真空圈内侧的第二真空圈,所述压缩空气出口位于所述第一真空圈和所述第二真空圈之间的区域。3.如权利要求2所述的承载台,其特征在于,所述压缩空气出口沿周向均匀分布在所述第一真空圈和所述第二真空圈之间的区域。4.如权利要求1所述的承载台,其特征在于,所述压缩空气出口的出气压力为0.10Kpa~0.25Kpa。5.如权利要求1所述的承载台,其特征在于,所述压缩空气出口的数量为3个、4个、5个、6个、7个或8个。6.一种晶圆检测设备,其特征在于,包括:如权利要求1
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技术研发人员:徐纯,莫少文,顾佳灵,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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