一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体和若干个支撑装置，所述支撑装置包括基座和梯台形限位座，所述梯台形限位座固定安装在基座的顶部，所述梯台形限位座的顶部开设有凸型吸气槽，该沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构设计合理，元胞结构主体上安装了若干个支撑装置，在对晶体管进行安装时，支撑装置的梯台形限位座能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置的梯台形限位座被碰触到时，梯台形限位座通过基座将活塞板向凸型安装槽内压，从而使气腔内的气压升高，从而使其它支撑装置的梯台形限位座向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度。地提高安装的强度。地提高安装的强度。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构


[0001]本技术涉及电子元件
，具体为一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构。

技术介绍

[0002]晶体管是用半导体材料制成的一种电子器件，是电子设备中最常见的电子元件之一，现有的晶体管不能够自适应贴合在连接处，不能够自适应与焊锡结合，安装强度较差，并且，现有的晶体管与电路板的连接强度较差，长时间使用后有可能产生松动或脱落，为此，本技术提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术设计合理，元胞结构主体上安装了若干个支撑装置，在对晶体管进行安装时，支撑装置的梯台形限位座能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置的梯台形限位座被碰触到时，梯台形限位座通过基座将活塞板向凸型安装槽内压，从而使气腔内的气压升高，从而使其它支撑装置的梯台形限位座向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度。
[0004]为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体和若干个支撑装置，所述支撑装置包括基座和梯台形限位座，所述梯台形限位座固定安装在基座的顶部，所述梯台形限位座的顶部开设有凸型吸气槽，所述凸型吸气槽内活动安装有活动密封座，连接顶杆的一端穿过凸型吸气槽的开口端并与活动密封座固定连接，所述梯台形限位座底部的边缘处固定安装有弧形板，所述梯台形限位座内开设有吸气通道，所述吸气通道与凸型吸气槽连通，所述元胞结构主体上开设有若干个凸型安装槽，所述基座的底部固定安装有活塞板，所述活塞板活动安装在凸型安装槽内，所述元胞结构主体内开设有气腔。
[0005]作为本技术的一种优选实施方式，所述连接顶杆的另一端固定安装有顶座。
[0006]作为本技术的一种优选实施方式，所述气腔与凸型安装槽之间开设有连通孔。
[0007]作为本技术的一种优选实施方式，所述气腔两侧的内侧壁之间固定安装有加强杆。
[0008]作为本技术的一种优选实施方式，所述活动密封座的直径与凸型吸气槽的直径相同。
[0009]本技术的有益效果：本技术的一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体、支撑装置、气腔、凸型安装槽、基座、梯台形限位座、凸型吸气槽、活动密封座、连接顶杆、顶座、弧形板、吸气通道、活塞板、加强杆和连通孔。
[0010]1.此沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构的元胞结构主体上安装了若干个支撑
装置，在对晶体管进行安装时，支撑装置的梯台形限位座能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置的梯台形限位座被碰触到时，梯台形限位座通过基座将活塞板向凸型安装槽内压，从而使气腔内的气压升高，从而使其它支撑装置的梯台形限位座向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度。
[0011]2.此沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构的梯台形限位座底部的边缘处安装了弧形板，在安装时，顶座通过连接顶杆将活动密封座向下压，从而使活动密封座顶部的气压降低，进而能够通过吸气通道产生吸力，将焊锡吸入弧形板内，进一步提高晶体管安装强度和连接强度。
[0012]3.此沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构的支撑装置在安装完毕后，梯台形限位座和顶座均具有向外扩张的趋势，从而能够对安装处产生一定的压力，提高结合强度，实用性强。
附图说明
[0013]图1为本技术一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构的剖面示意图；
[0014]图2为本技术一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构的支撑装置剖面示意图；
[0015]图中：1、元胞结构主体；2、支撑装置；3、气腔；4、凸型安装槽；5、基座；6、梯台形限位座；7、凸型吸气槽；8、活动密封座；9、连接顶杆；10、顶座；11、弧形板；12、吸气通道；13、活塞板；14、加强杆；15、连通孔。
具体实施方式
[0016]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0017]请参阅图1至图2，本技术提供一种技术方案：一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体1和若干个支撑装置2，所述支撑装置2包括基座5和梯台形限位座6，所述梯台形限位座6固定安装在基座5的顶部，所述梯台形限位座6的顶部开设有凸型吸气槽7，所述凸型吸气槽7内活动安装有活动密封座8，连接顶杆9的一端穿过凸型吸气槽7的开口端并与活动密封座8固定连接，所述梯台形限位座6底部的边缘处固定安装有弧形板11，所述梯台形限位座6内开设有吸气通道12，所述吸气通道12与凸型吸气槽7连通，所述元胞结构主体1上开设有若干个凸型安装槽4，所述基座5的底部固定安装有活塞板13，所述活塞板13活动安装在凸型安装槽4内，所述元胞结构主体1内开设有气腔3。
[0018]作为本技术的一种优选实施方式，所述连接顶杆9的另一端固定安装有顶座10。
[0019]作为本技术的一种优选实施方式，所述气腔3与凸型安装槽4之间开设有连通孔15。
[0020]作为本技术的一种优选实施方式，所述气腔3两侧的内侧壁之间固定安装有加强杆14。
[0021]作为本技术的一种优选实施方式，所述活动密封座8的直径与凸型吸气槽7的直径相同。
[0022]作为本技术的一种优选实施方式，元胞结构主体1上安装了若干个支撑装置2，在对晶体管进行安装时，支撑装置2的梯台形限位座6能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置2的梯台形限位座6被碰触到时，梯台形限位座6通过基座5将活塞板13向凸型安装槽4内压，从而使气腔3内的气压升高，从而使其它支撑装置2的梯台形限位座6向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度，梯台形限位座6底部的边缘处安装了弧形板11，在安装时，顶座10通过连接顶杆9将活动密封座8向下压，从而使活动密封座8顶部的气压降低，进而能够通过吸气通道12产生吸力，将焊锡吸入弧形板11内，进一步提高晶体管安装强度和连接强度，支撑装置2在安装完毕后，梯台形限位座6和顶座10均具有向外扩张的趋势，从而能够对安装处产生一定的压力，提高结合强度，实用性强。
[0023]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0024]此外，应当理解，虽然本说明书按本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体(1)和若干个支撑装置(2)，其特征在于，所述支撑装置(2)包括基座(5)和梯台形限位座(6)，所述梯台形限位座(6)固定安装在基座(5)的顶部，所述梯台形限位座(6)的顶部开设有凸型吸气槽(7)，所述凸型吸气槽(7)内活动安装有活动密封座(8)，连接顶杆(9)的一端穿过凸型吸气槽(7)的开口端并与活动密封座(8)固定连接，所述梯台形限位座(6)底部的边缘处固定安装有弧形板(11)，所述梯台形限位座(6)内开设有吸气通道(12)，所述吸气通道(12)与凸型吸气槽(7)连通，所述元胞结构主体(1)上开设有若干个凸型安装槽(4)，所述基座(5)的底部固定安装有活塞板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳廉旭，洪盛兰，
申请(专利权)人：深圳市登辰易科技有限公司，
类型：新型
国别省市：