一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体和若干个支撑装置，所述支撑装置包括基座和梯台形限位座，所述梯台形限位座固定安装在基座的顶部，所述梯台形限位座的顶部开设有凸型吸气槽，该沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构设计合理，元胞结构主体上安装了若干个支撑装置，在对晶体管进行安装时，支撑装置的梯台形限位座能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置的梯台形限位座被碰触到时，梯台形限位座通过基座将活塞板向凸型安装槽内压，从而使气腔内的气压升高，从而使其它支撑装置的梯台形限位座向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度。地提高安装的强度。地提高安装的强度。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构


[0001]本技术涉及电子元件
，具体为一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构。

技术介绍

[0002]晶体管是用半导体材料制成的一种电子器件，是电子设备中最常见的电子元件之一，现有的晶体管不能够自适应贴合在连接处，不能够自适应与焊锡结合，安装强度较差，并且，现有的晶体管与电路板的连接强度较差，长时间使用后有可能产生松动或脱落，为此，本技术提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题，本技术设计合理，元胞结构主体上安装了若干个支撑装置，在对晶体管进行安装时，支撑装置的梯台形限位座能够根据安装环境自适应伸缩，当其中一个支撑装置的梯台形限位座被碰触到时，梯台形限位座通过基座将活塞板向凸型安装槽内压，从而使气腔内的气压升高，从而使其它支撑装置的梯台形限位座向外扩展，达到自适应贴合的目的，能够有效地提高安装的强度。
[0004]为了实现上述目的，本技术是通过如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的元胞结构，包括元胞结构主体(1)和若干个支撑装置(2)，其特征在于，所述支撑装置(2)包括基座(5)和梯台形限位座(6)，所述梯台形限位座(6)固定安装在基座(5)的顶部，所述梯台形限位座(6)的顶部开设有凸型吸气槽(7)，所述凸型吸气槽(7)内活动安装有活动密封座(8)，连接顶杆(9)的一端穿过凸型吸气槽(7)的开口端并与活动密封座(8)固定连接，所述梯台形限位座(6)底部的边缘处固定安装有弧形板(11)，所述梯台形限位座(6)内开设有吸气通道(12)，所述吸气通道(12)与凸型吸气槽(7)连通，所述元胞结构主体(1)上开设有若干个凸型安装槽(4)，所述基座(5)的底部固定安装有活塞板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳廉旭，洪盛兰，
申请(专利权)人：深圳市登辰易科技有限公司，
类型：新型
国别省市：