【技术实现步骤摘要】
一种热蒸发镀膜陶瓷靶材及制备方法
[0001]
[0002]本专利技术属于材料
，具体涉及一种热蒸发镀膜用的陶瓷靶材及制备方法。
技术介绍
[0003]兼具可见光透明和导电的薄膜材料有超薄金属、氧化物陶瓷、导电高分子，其中氧化物体系的透明导电氧化物(TCO)薄膜具有优异的导电、透光性能，广泛应用于各种光电器件，如平板显示器、触摸屏、薄膜太阳能电池。氧化物透明导电薄膜被广泛应用的材料是In2O3和ZnO，如Sn掺杂In2O3(ITO)，Al、Ga、In掺杂ZnO(AZO、GZO、IZO)。工业界制备这些薄膜的方法主要有磁控溅射、电子束蒸发，以及由电子束蒸发演变而来的活化等离子体沉积（Reactive Plasma Deposition，RPD）。
[0004]磁控溅射、电子束蒸发和活化等离子体沉积都需要陶瓷靶材，磁控溅射需要高密度的溅射靶材，电子束蒸发和活化等离子体沉积则需要低密度的多孔陶瓷靶材。对于电子束蒸发，由于存在离解作用，需要在蒸发镀膜时通入适量的氧气，更为重要的是高能电子束加热气化靶材时，靶材表面与接触冷...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热蒸发镀膜陶瓷靶材，包括原料粉体，其特征在于，所述陶瓷靶材还包括了与原料粉体共同构成异质结构的结构材料，所述结构材料为与原料粉体相同化学组份的陶瓷纤维和/或陶瓷片，所述陶瓷纤维的长度为5
‑
100μm，直径为0.2
‑
6μm；所述陶瓷片的厚度为2
‑
10μm、宽度为20
‑
60μm；结构材料在陶瓷靶材中的占比为10
‑
35wt%。2.根据权利要求1所述的陶瓷靶材，其特征在于，所述原料粉体是由60
‑
100nm尺寸的纳米原料粉体和1
‑...
【专利技术属性】
技术研发人员：许积文，余晨旭，杨玲，王华，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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