一种LED芯片外观缺陷检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片外观缺陷检测装置，其包括，位置检测组件，包括用于拍摄待测LED芯片上芯粒的检测单元和用于调节检测单元与待测LED芯片上芯粒之间间距的间距调节单元；位移补偿组件，包括用于承载待测LED芯片的载台和用于调节载台至检测单元摄域内的多轴位移单元；高度监测组件，包括用于监测待测LED芯片上芯粒与检测单元之间的间距是否符合拍摄标准的距离监测单元；控制器，其与检测单元、间距调节单元、多轴位移单元和距离监测单元均电连接。本实用新型专利技术能够高度自动化的实现检测单元和待测LED芯片上芯粒的精确对位拍摄，从而解决了LED芯粒外观检测不精确的技术问题。而解决了LED芯粒外观检测不精确的技术问题。而解决了LED芯粒外观检测不精确的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片外观缺陷检测装置


[0001]本技术公开了一种LED芯片检测装置，属于显示面板检测
，具体公开了一种LED芯片外观缺陷检测装置。

技术介绍

[0002]半个多世纪以来，半导体行业按照摩尔定律不断发展，制程从微米量级缩小至如今的单数位纳米量级，伴随着先进的工艺相可以加工出较于原有技术更复杂的图案，而复杂的图案也需要更精细的缺陷检测技术。从紫外光(UV)到深紫外光(DUV)，暗场(dark field)到亮场(bright field)，LED芯片检测技术在半导体工艺过程中(从工艺研发、生产良率的提升、直至量产监测的一整套产品生命周期中)起到了不可替代的作用。
[0003]在Mini/Micro LED芯片
内，Mini/Micro LED芯片下游面板厂商在生产Mini/Micro LED芯片过程中、在Mini/Micro LED芯片转移及Cell段，需要对转移蓝膜或晶圆或玻璃基板上的LED芯粒外观检测，该步骤的检测质量将直接影响到Mini/Micro LED芯片后续加工。而Mini/Micro LED芯片上芯粒对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片外观缺陷检测装置，其特征在于：包括，位置检测组件，包括用于拍摄待测LED芯片上芯粒的检测单元和用于调节检测单元与待测LED芯片上芯粒之间间距的间距调节单元；位移补偿组件，包括用于承载待测LED芯片的载台和用于调节载台至检测单元摄域内的多轴位移单元；高度监测组件，包括用于监测待测LED芯片上芯粒与检测单元之间的间距是否符合拍摄标准的距离监测单元；控制器，其与检测单元、间距调节单元、多轴位移单元和距离监测单元均电连接。2.根据权利要求1所述的LED芯片外观缺陷检测装置，其特征在于：所述检测单元包括检测光机头。3.根据权利要求1所述的LED芯片外观缺陷检测装置，其特征在于：所述间距调节单元包括沿竖直Z轴向布置布置的第一Z向直线模组，所述第一Z向直线模组的移动端连接有所述检测单元。4.根据权利要求3所述的LED芯片外观缺陷检测装置，其特征在于：所述第一Z向直线模组与所述检测单元之间设置有用于调节检测单元相对于水平XOY平面的前后俯仰角和左右倾角的X向角度调节滑台和Y向角度调节滑台。5.根据权利要求3所述的LED芯片外观缺陷检测装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：左律，李渊，王雷，刘显威，谢沙丽，郑增强，
申请(专利权)人：武汉精立电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：