超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路技术方案

本发明专利技术提供一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路，超导测试电路包括CMOS电路与跨温区互联系统；跨温区互联系统包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述超导电路；所述衰减模块用于将CMOS电路的CMOS逻辑电平转化处理为超导逻辑电平；所述放大模块的输入端用于连接所述超导电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述CMOS电路；所述放大模块用于将超导电路的超导逻辑电平转化处理为CMOS逻辑电平；所述传输线链路用于实现超导电路与CMOS电路之间跨温区的信号传输。本发明专利技术能保证测试中超导芯片的高速、动态功能实现。动态功能实现。动态功能实现。

【技术实现步骤摘要】
超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路


[0001]本专利技术涉及通信
，特别是涉及一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统、超导测试电路。

技术介绍

[0002]超导电子学是超导物理、集成电路制造与电子技术等多学科交叉的产物，以超导微观理论和多种量子效应为基础。各种超导有源和无源器件结合又可以形成不同功能与用途的超导集成电路。超导集成电路既是超导电子学研究的重要内容，也是集成电路技术的重要分支。半导体集成电路是电子信息技术发展的基础，集成电路沿着摩尔定律高速发展，目前已经进入亚7nm技术节点，进一步发展将面临器件物理和微加工技术极限的双重挑战，速度和功耗正在成为难以跨越的技术瓶颈。而超导集成电路的高运算速度和低功耗成为未来集成电路发展的重要方向。随着各种复杂的超导芯片和多芯片模块的日益成熟化，对芯片的测试逐渐由静态、低速的需求转向动态、高速的需求。超导芯片工作在4.2K的低温下，测试设备(包含CMOS电路)均处于室温环境，这样就需要实现低温
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室温的跨温区高速信号的互联解决方案。此外，这种互联解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统，其特征在于，包括衰减模块、放大模块和传输线链路；所述衰减模块的输入端用于连接CMOS电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述超导电路；所述衰减模块用于将CMOS电路的CMOS逻辑电平转化处理为超导逻辑电平；所述放大模块的输入端用于连接所述超导电路，所述衰减模块的输出端用于连接所述CMOS电路；所述放大模块用于将超导电路的超导逻辑电平转化处理为CMOS逻辑电平；所述传输线链路用于实现超导电路与CMOS电路之间跨温区的信号传输。2.根据权利要求1所述的超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统，其特征在于，所述放大模块包括前置放大单元、带通放大单元和电压比较单元；所述前置放大单元的输入端连接所述超导电路，所述前置放大单元用于将超导逻辑电平进行第一次放大得到第一中间超导逻辑电平；所述带通放大单元的输入端连接所述前置放大单元的输出端，所述带通放大单元用于将所述第一中间超导逻辑电平进行第二次放大得到第二中间超导逻辑电平；所述电压比较单元的输入端连接所述带通放大单元的输出端，基于所述第二中间超导逻辑电平和预设电压值进行比较，根据比较结果输出所述CMOS逻辑电平。3.根据权利要求2所述的超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统，其特征在于，所述前置放大单元包括LT1028芯片，所述LT1028芯片实现超导逻辑电平到第一中间超导逻辑电平的第一次放大，所述第一中间超导逻辑电平为1mV。4.根据权利要求2所述的超导电路与CMOS电路之间的跨温区互联系统，其特征在于，所述带通放大单元包括LT1028芯片、第一电容、电阻和第二电容；所述LT1028芯片的第一输入端连接所述前置放大单元的输出端，所述LT1028芯片的第二输入端连接工作电源；所述第一电容和所述电阻并联形成并联支路，所述并联支路的一端连接所述LT1028芯片的第一输入端，所述并联支路的另一端连接所述LT1028芯片的输出端；所第二电容连接在所述LT1028芯片的输出端；所述LT1028芯片实现第一中间超导逻辑电平到第二中间超导逻辑电平的第二次放大，所述第二中间超导逻辑电平为30mV；所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：原蒲升，李凌云，王永良，汪书娜，余慧勤，尤立星，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：