电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置，所述装置包括：传送单元；加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口。多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程中，除了传送单元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。同时保证了加热效率。同时保证了加热效率。

【技术实现步骤摘要】
电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置。

技术介绍

[0002]多晶硅是用于电子行业的基础材料，也是硅晶圆生产的主要原材料。我国的电子级多晶硅生产处于起步阶段，除核心生产装置引进外，其他生产装置各企业也有所不同。后处理工段是电子级多晶硅生产的最后一道加工工序，其主要生产任务是将还原氢化工段生产的多晶硅棒进行破碎加工处理，生成最终产品，故称后处理。因为电子级多晶硅纯度要求极高，后处理加工过程中很容易污染，电子级多晶硅后处理工序目前没有成熟的设计方案参考借鉴，各生产厂都是在不断摸索、补充、改进后逐步完善的。因此，国内外厂家近年来都在进行硅料破碎的改进，现有技术中有提出将多晶硅加热，迅速降温，然后破碎的技术方案，但是现有技术在加热过程中会产生污染，有待进一步改进。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种电子级多晶硅热破碎加热装置和加热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，包括：传送单元；加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口。2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述传送单元包括齿轮和传送带，所述传送带设在所述齿轮上，所述加热仓的底壁的上表面设有与所述齿轮相对应的齿痕。3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述传送带包括多个传送片，单个所述传送片沿所述传送单元长度方向的长度为8
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12cm，相邻所述传送片之间的距离为1.5
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2.5cm；任选地，所述传送带的材质为石英，所述石英中SiO2的质量含量不低于99.99％，所述齿轮的材质为304不锈钢。4.根据权利要求1所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述仓门通过密封层与所述仓口密封；任选地，所述密封层为特氟龙材质。5.根据权利要求1
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4任一项所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述加热仓壁包括两层，外层的材质为304不锈钢，内层的材质为石英，所述石英中SiO2的质量含量不低于99.99％；任选地，所述外层和所述内层之间设有冷冻水盘管。6.根据权利要求1
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4任一项所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述加热仓的侧壁上还设有气缸，所述气缸通过连接杆与...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫家强，张天雨，蒋文武，田新，吴鹏，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：