本发明专利技术公开了电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置，所述装置包括：传送单元；加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口。多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程中，除了传送单元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。同时保证了加热效率。同时保证了加热效率。
【技术实现步骤摘要】
电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置。
技术介绍
[0002]多晶硅是用于电子行业的基础材料，也是硅晶圆生产的主要原材料。我国的电子级多晶硅生产处于起步阶段，除核心生产装置引进外，其他生产装置各企业也有所不同。后处理工段是电子级多晶硅生产的最后一道加工工序，其主要生产任务是将还原氢化工段生产的多晶硅棒进行破碎加工处理，生成最终产品，故称后处理。因为电子级多晶硅纯度要求极高，后处理加工过程中很容易污染，电子级多晶硅后处理工序目前没有成熟的设计方案参考借鉴，各生产厂都是在不断摸索、补充、改进后逐步完善的。因此，国内外厂家近年来都在进行硅料破碎的改进，现有技术中有提出将多晶硅加热，迅速降温，然后破碎的技术方案，但是现有技术在加热过程中会产生污染，有待进一步改进。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置。多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程中，除了传送单元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。
[0004]在本专利技术的第一个方面，本专利技术提出了一种电子级多晶硅热破碎加热装置。根据本专利技术的实施例，所述电子级多晶硅热破碎加热装置包括：
[0005]传送单元；
[0006]加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口。
[0007]根据本专利技术上述实施例的电子级多晶硅热破碎加热装置，通过传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓中，关闭仓门，使加热仓形成封闭空间，通过抽真空口将加热仓体内的空气排空，完成后充入保护气体，用以阻隔氧气，避免电子级多晶硅棒在加热过程中因高温而被氧化；启动加热器，加热仓内的多晶硅棒，同时通过温度探测器监控加热仓内的温度；加热完成后，打开仓门，通过传送单元将加热完成的多晶硅棒传送出加热仓。由此，多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程中，除了传送单元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。
[0008]另外，根据本专利技术上述实施例的电子级多晶硅热破碎加热装置还可以具有如下附加的技术特征：
[0009]在本专利技术的一些实施例中，所述传送单元包括齿轮和传送带，所述传送带设在所
述齿轮上，所述加热仓的底壁的上表面设有与所述齿轮相对应的齿痕。
[0010]在本专利技术的一些实施例中，所述传送带包括多个传送片，单个所述传送片沿所述传送单元长度方向的长度为8
‑
12cm，相邻所述传送片之间的距离为1.5
‑
2.5cm。
[0011]在本专利技术的一些实施例中，所述传送带的材质为石英，所述石英中SiO2的质量含量不低于99.99％，所述齿轮的材质为304不锈钢。
[0012]在本专利技术的一些实施例中，所述仓门通过密封层与所述仓口密封。
[0013]在本专利技术的一些实施例中，所述密封层为特氟龙材质。
[0014]在本专利技术的一些实施例中，所述加热仓壁包括两层，外层的材质为304不锈钢，内层的材质为石英，所述石英中SiO2的质量含量不低于99.99％。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述外层和所述内层之间设有冷冻水盘管。
[0016]在本专利技术的一些实施例中，所述加热仓的侧壁上还设有气缸，所述气缸通过连接杆与所述仓门连接。
[0017]在本专利技术的一些实施例中，所述保护气体入口处设有纳米过滤器。
[0018]在本专利技术的一些实施例中，进入所述加热仓的所述保护气体的纯度为不小于99.999％。
[0019]在本专利技术的一些实施例中，待加热的多晶硅棒的长度为300
‑
400mm，直径为150
‑
250mm。
[0020]在本专利技术的第二个方面，本专利技术提出了一种采用以上实施例所述的电子级多晶硅热破碎加热装置对多晶硅棒料进行加热的方法。根据本专利技术的实施例，所述方法包括：
[0021](1)打开仓门，采用传送单元将待加热的多晶硅棒料传送至加热仓中，关闭所述仓门，使所述加热仓形成封闭空间；
[0022](2)通过抽真空口将所述加热仓内的空气排空，充入保护气体；
[0023](3)启动加热器，将多晶硅棒料加热至500
‑
1000℃；
[0024](4)打开所述仓门，通过所述传送单元将加热完成的所述多晶硅棒传送出所述加热仓。
[0025]根据本专利技术上述实施例的加热方法，通过传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓中，关闭仓门，使加热仓形成封闭空间，通过抽真空口将加热仓体内的空气排空，完成后充入保护气体，用以阻隔氧气，避免电子级多晶硅棒在加热过程中因高温而被氧化；启动加热器，加热仓内的多晶硅棒，同时通过温度探测器监控加热仓内的温度；加热完成后，打开仓门，通过传送单元将加热完成的多晶硅棒传送出加热仓。由此，多晶硅棒通过传送单元自动完成进出加热仓，多晶硅棒在完成加热的过程中，除了传送单元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。
[0026]另外，根据本专利技术上述实施例的方法还可以具有如下附加的技术特征：
[0027]在本专利技术的一些实施例中，步骤(3)包括如下步骤：启动加热器，将所述多晶硅棒料以15
‑
20℃/min的加热速度加热至350
‑
450℃；将所述多晶硅棒料以25
‑
35℃/min的加热速度加热至500
‑
1000℃。
[0028]在本专利技术的第三个方面，本专利技术提出了一种电子级多晶硅热破碎装置。根据本专利技术的实施例，所述电子级多晶硅热破碎装置具有以上实施例所述的电子级多晶硅热破碎加热装置。由此，多晶硅棒在所述电子级多晶硅热破碎装置中完成加热的过程中，除了传送单
元，没有接触过别的物质，单一接触源，避免了外来污染源的问题，同时保证了加热效率。
[0029]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0030]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0031]图1是根据本专利技术一个实施例的电子级多晶硅热破碎加热装置的剖视图；
[0032]图2是根据本专利技术再一个实施例的电子级多晶硅热破碎加热装置的主视图。
[0033]标注：10
‑
传送单元，20
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，包括：传送单元；加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口。2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述传送单元包括齿轮和传送带，所述传送带设在所述齿轮上，所述加热仓的底壁的上表面设有与所述齿轮相对应的齿痕。3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述传送带包括多个传送片，单个所述传送片沿所述传送单元长度方向的长度为8
‑
12cm，相邻所述传送片之间的距离为1.5
‑
2.5cm；任选地，所述传送带的材质为石英，所述石英中SiO2的质量含量不低于99.99％，所述齿轮的材质为304不锈钢。4.根据权利要求1所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述仓门通过密封层与所述仓口密封；任选地，所述密封层为特氟龙材质。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述加热仓壁包括两层，外层的材质为304不锈钢，内层的材质为石英，所述石英中SiO2的质量含量不低于99.99％；任选地，所述外层和所述内层之间设有冷冻水盘管。6.根据权利要求1
‑
4任一项所述的电子级多晶硅热破碎加热装置，其特征在于，所述加热仓的侧壁上还设有气缸，所述气缸通过连接杆与...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫家强，张天雨，蒋文武，田新，吴鹏，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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