显示面板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。其包括基板以及依次设置于基板上的薄膜晶体管层、第一电极层、像素定义层以及发光层：薄膜晶体管层包括器件层；第一电极层包括多个第一电极；像素定义层包括多个像素开口，且一像素开口对应一第一电极设置；发光层包括设置于各像素开口内并位于对应的第一电极上的发光像素；其中，器件层包括与像素开口至少部分重叠设置的第一子部，且至少第一子部的厚度大于或等于6000埃，第一电极包括靠近像素定义层一侧且对应像素开口设置的第一表面，且第一表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。本发明专利技术可以提高第一电极的第一表面的平坦度，提高发光像素的良率。提高发光像素的良率。提高发光像素的良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)显示面板作为新型自发光显示面板，其超清薄、柔软、超强可设计性，同时采用有机半导体发光，材料可选择范围较宽，容易实现可见光范围内全色彩显示。尤其是顶发射出光OLED显示面板，具有大的开口率等优点被越来越广泛的使用在各个领域。
[0003]具体地，OLED显示面板包括设置于薄膜晶体管器件层上的有平坦层，设置于平坦层上的阳极层、设置于阳极层上的像素定义层以及设置于像素定义层上的发光层；其中，阳极层包括多个阳极，而像素定义层包括与多个阳极一一对应的多个像素开口，发光层包括对应各像素开口设置于对应阳极上的发光像素。随着OLED显示面板对尺寸和分辨率要求的提高，薄膜晶体管器件层中的晶体管器件、金属走线等的膜层厚度也越来越大，使得阻抗变小，以减小信号传输延迟。
[0004]但是，由于晶体管器件、金属走线等的厚度变大，导致平坦层对应晶体管器件、金属走线等的位置可能出现凹凸不平的膜层形貌，导致设置于平坦层上的阳极表面也无法做到平坦，而设置于阳极表面的发光像素对于平坦度的要求极高，而目前的阳极表面难以满足平坦度的要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够提高第一电极靠近发光像素一侧的平坦度，提高发光像素的良率。
[0006]本专利技术实施例提供一种显示面板，其包括：
[0007]基板；
[0008]薄膜晶体管层，设置于所述基板的一侧，并包括器件层；
[0009]第一电极层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧，并包括多个第一电极；
[0010]像素定义层，设置于所述第一电极层远离所述薄膜晶体管层的一侧，并包括多个像素开口，且一所述像素开口对应一所述第一电极设置；
[0011]发光层，包括设置于各所述像素开口内并位于对应的所述第一电极上的发光像素；
[0012]其中，所述器件层包括与所述像素开口至少部分重叠设置的第一子部，且至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃，所述第一电极包括靠近所述像素定义层一侧且对应所述像素开口设置的第一表面，且所述第一表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。
[0013]在本专利技术的一种实施例中，所述第一表面包括至少一第一凸起，且所述第一凸起与所述第一子部至少部分重叠设置。
[0014]在本专利技术的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述器件层与所述第一电极层之间的平坦层，且所述平坦层包括靠近所述第一电极层一侧且与所述第一表面对应设置的第二表面，所述第二表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。
[0015]在本专利技术的一种实施例中，所述第二表面包括至少一第二凸起，且所述第二凸起在所述基板上正投影位于所述第一凸起在所述基板上的正投影的覆盖范围以内。
[0016]在本专利技术的一种实施例中，所述第一凸起的高度以及所述第二凸起的高度皆小于或等于4000埃。
[0017]在本专利技术的一种实施例中，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基板一侧的多个薄膜晶体管，且所述第一子部包括所述薄膜晶体管的源极、漏极以及连接于所述薄膜晶体管的信号走线。
[0018]在本专利技术的一种实施例中，至少所述第一子部的厚度小于或等于8000埃。
[0019]根据本专利技术的上述目的，提供一种显示面板的制作方法，其包括以下步骤：
[0020]提供基板；
[0021]在所述基板的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括器件层，且所述器件层包括第一子部，至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃；
[0022]在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成第一电极层，且所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极远离所述薄膜晶体管层的一侧包括第一表面，且所述第一表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃；
[0023]在所述第一电极层远离所述薄膜晶体管层的一侧形成像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述像素开口与所述第一子部至少部分重叠设置，且一所述像素开口对应一所述第一电极的所述第一表面设置；
[0024]在所述像素定义层远离所述第一电极层的一侧形成发光层，所述发光层包括对应各所述像素开口设置于对应的所述第一电极上的多个发光像素。
[0025]在本专利技术的一种实施例中，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，且所述在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成第一电极层包括以下步骤：
[0026]在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成平坦层，所述平坦层包括远离所述薄膜晶体管层一侧并对应所述像素开口设置的第二表面；
[0027]采用半透掩膜板在所述平坦层中形成多个开孔，并去除位于所述第二表面上的部分所述平坦层，以使得所述第二表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃；
[0028]在所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧形成所述第一电极层，各所述第一电极通过所述开孔与所述薄膜晶体管搭接。
[0029]根据本专利技术的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板，或采用所述显示面板的制作方法制得的显示面板。
[0030]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的显示面板中，第一电极靠近发光像素的一侧具有第一表面，且第一表面内最高点和最低点之间的高度差值小于或等于0.4微米，进而极大程度地保证了第一电极的第一表面的平坦度，使得发光像素可以形成于平坦度较高的第一表面上，有效提高了发光像素的良率，提高了显示面板的良率和显示效果。
附图说明
[0031]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0032]图1为本专利技术实施例提供的显示面板的一种结构示意图；
[0033]图2为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法流程图；
[0034]图3为本专利技术实施例提供的一种半透掩膜板蚀刻工艺示意图；
[0035]图4为本专利技术实施例提供的显示面板的一种制作流程结构示意图；
[0036]图5为本专利技术实施例提供的显示面板的另一种制作流程结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管层，设置于所述基板的一侧，并包括器件层；第一电极层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧，并包括多个第一电极；像素定义层，设置于所述第一电极层远离所述薄膜晶体管层的一侧，并包括多个像素开口，且一所述像素开口对应一所述第一电极设置；发光层，包括设置于各所述像素开口内并位于对应的所述第一电极上的发光像素；其中，所述器件层包括与所述像素开口至少部分重叠设置的第一子部，且至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃，所述第一电极包括靠近所述像素定义层一侧且对应所述像素开口设置的第一表面，且所述第一表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一表面包括至少一第一凸起，且所述第一凸起与所述第一子部至少部分重叠设置。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述器件层与所述第一电极层之间的平坦层，且所述平坦层包括靠近所述第一电极层一侧且与所述第一表面对应设置的第二表面，所述第二表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二表面包括至少一第二凸起，且所述第二凸起在所述基板上正投影位于所述第一凸起在所述基板上的正投影的覆盖范围以内。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一凸起的高度以及所述第二凸起的高度皆小于或等于4000埃。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基板一侧的多个薄膜晶体管，且所述第一子部包括所述薄膜晶体管的源极、漏极以及连接于所述薄膜晶体管的信号走线。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛奎，唐敏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：