一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法技术

本申请实施例提供的齐纳二极管及齐纳二极管制作方法，齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的掺杂区。掺杂区包括环形掺杂区及位于环形掺杂区的中心区域的中心掺杂区，环形掺杂区包括第一环形掺杂区及第二环形掺杂区，其中，第一环形掺杂区位于所述中心掺杂区的外周，第二环形掺杂区位于第一环形掺杂区的外周，第一环形掺杂区的掺杂深度大于中心掺杂区的掺杂深度以及第二环形掺杂区的掺杂深度。如此设置，在齐纳二极管两端施加反向击穿电压时，可以分两次击穿，首先由中心掺杂区所对应的位置先击穿，然后整个环形掺杂区所对应的位置击穿，由于中心掺杂区的直径较小产生的漏电流较小，可以改善产品的击穿特性。可以改善产品的击穿特性。可以改善产品的击穿特性。

【技术实现步骤摘要】
一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法。

技术介绍

[0002]齐纳二极管又叫稳压二极管，它是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。当反向电压达到临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿电压之上，反向电阻会骤然降至到很小。尽管电流在很大的范围变化，而齐纳二极管两端的电压基本上稳定在该击穿电压附近，从而实现稳压功能。近几年来，随着电子制造业的蓬勃发展，齐纳二极管在汽车电子、电机控制、充电桩、焊机、空调等器件中有着广泛的应用。
[0003]通常齐纳二极管在反向击穿时，反向的漏电比较大，而在未达到稳压值之前，齐纳二极管就会达到很高的漏电，这局限了齐纳二极管在一些较高要求的设计电路中的使用。

技术实现思路

[0004]为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法。
[0005]本申请的第一方面，提供一种齐纳二极管，所述齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的所述齐纳二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种齐纳二极管，其特征在于，所述齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的掺杂区；所述掺杂区包括环形掺杂区及位于所述环形掺杂区的中心区域的中心掺杂区；所述环形掺杂区包括第一环形掺杂区及第二环形掺杂区，其中，第一环形掺杂区位于所述中心掺杂区的外周，所述第二环形掺杂区位于所述第一环形掺杂区的外周；所述第一环形掺杂区的掺杂深度大于所述中心掺杂区的掺杂深度以及所述第二环形掺杂区的掺杂深度；所述环形掺杂区的环形宽度大于所述中心掺杂区的直径。2.如权利要求1所述的齐纳二极管，其特征在于，所述环形掺杂区为一环形宽度固定的环形掺杂区。3.如权利要求2所述的齐纳二极管，其特征在于，所述齐纳二极管还包括截止环，所述截止环与所述环形掺杂区位于所述衬底的同一侧，且位于所述环形掺杂区的外周，所述截止环与所述环形掺杂区不接触。4.如权利要求1所述的齐纳二极管，其特征在于，所述环形掺杂区的环形宽度的范围为75～100um，所述中心掺杂区长度的范围为35～60um。5.如权利要求4所述的齐纳二极管，其特征在于，所述环形掺杂区的环形宽度为85um，所述中心掺杂区的直径为50um。6.如权利要求1
‑
5中任意一项所述的齐纳二极管，其特征在于，所述衬底为重掺杂的N型衬底，所述环形掺杂区及所述中心掺杂区为P型掺杂区；或，所述衬底为重掺杂的P型衬底，所述环形掺杂区及所述中心掺杂区为N型掺杂区。7.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝雪东，李大哲，于航，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：