【技术实现步骤摘要】
超结功率器件
[0001]本专利技术属于半导体
，具体地说是一种超结功率半导体器件。
技术介绍
[0002]超结功率半导体器件通常分为平面栅结构与沟槽栅结构，沟槽栅结构的寄生电容一般比平面栅结构小，所以沟槽栅结构的开关速度要高于平面栅结构，因此沟槽栅结构的开关损耗也更小，但是高速的开关速度会引起电流和电压的震荡。
[0003]超结功率半导体晶体管工作状态有两个：导通状态和截止状态，沟槽栅结构的超结功率半导体晶体管能够迅速将工作状态从导通状态改变为截止状态，反之亦然。因此，导通或截止晶体管器件会使得晶体管内的电流发生从无到有或从有到无的剧烈变化。这种剧烈变化的电流可能会导致电路中任何种类的非寄生或寄生电感产生电流和电压震荡，例如晶体管器件与电源之间的连接线的线电感。这样的震荡可能损坏电路中的电子设备，或者可能损坏晶体管器件的栅极氧化层，还可能导致严重的电磁干扰。
[0004]传统的沟槽栅结构如图3所示，以N型功率器件为例，在N型外延层的顶部设有间隔设置且互相平行的N型柱与P型柱，在所述N型柱的顶部设有P型...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.超结功率器件，包括第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层的顶部设有间隔设置且互相平行的第一导电类型柱与第二导电类型柱；在所述第一导电类型柱的顶部设有第二导电类型体区，在第一导电类型柱的顶部的中部设有第一沟槽，第一沟槽穿透第二导电类型体区进入第一导电类型柱内，第一沟槽顶部的两侧设有第一导电类型源区，第一沟槽内设有第一导电多晶硅与栅极氧化层，栅极氧化层包裹第一导电多晶硅的侧面以及底面，第一导电多晶硅接栅极电位；其特征是：在所述第一沟槽的两侧设有第二沟槽，所述第二沟槽穿透第二导电类型体区进入第一导电类型柱内，所述第二沟槽的两个侧壁，至少有一侧位于第一导电类型柱内，第一沟槽和所述第二沟槽之间的第二导电类型体区通过所述第二沟槽与第二导电类型柱隔离；在所述第一导电类型外延层的上方设有第一绝缘介质层，在所述第一绝缘介质层的上方设有源极金属；在第一沟槽和第二沟槽之间的第一绝缘介质层内设有接触孔，源极金属通过接触孔与第一导电类型源区以及第一沟槽和第二沟槽之间的第二导电类型体区欧姆接触，源极金属将第一导电类型源区以及第一沟槽和第二沟槽之间的第二导电类型体区的电位设为...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周锦程，李宗清，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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