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本申请实施例提供的齐纳二极管及齐纳二极管制作方法，齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的掺杂区。掺杂区包括环形掺杂区及位于环形掺杂区的中心区域的中心掺杂区，环形掺杂区包括第一环形掺杂区及第二环形掺杂区，其中，第一环形掺杂区位于所述中心掺杂区的外...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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