再生PECVD设备或DRYETCH设备腔体中的构件的方法技术

本公开涉及再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法，该方法包括以下连续步骤：(a)对所述构件的表面进行喷砂处理；(b)用浓度为40

【技术实现步骤摘要】
再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法


[0001]本公开涉及PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的表面处理
，更特别涉及再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着TFT
‑
LCD(薄膜晶体液晶显示器)行业的持续发展，对LCD面板的需求出现了爆发性增长。在LCD的制造流程中，通常需要使用PE CVD(等离子体增强化学气相沉淀法)以及DRY ETCH(干式蚀刻)两大核心工艺，因此不可避免地需要使用PECVD设备和DRY ETCH设备。
[0003]在实际生产中，PECVD设备和DRY ETCH设备腔体内通常包含多种构件(PARTS)，这些构件由于处于等离子气体氛围(具有腐蚀性)且高压通电的环境下，会在表面形成成分复杂的沉积物。因此，一定寿命周期内需将构件取出，彻底剥离沉积物，以进行维修再生，从而实现重复利用。
[0004]然后，现有技术中，在构件的维修再生过程中，为了彻底去除表面(尤其是构件中包含的孔中)的沉积物，以避免构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构件的方法，包括以下连续步骤：(a)在2
‑
4kg的压力下，用120
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320目的喷料对所述构件的表面进行喷砂处理；(b)在45
‑
50℃下，用浓度为40
‑
100g/L的无机酸溶液清洗所述构件的表面；(f)对所述构件的表面进行研磨处理，以使得所述构件的平面粗糙度一致；(g)对所述构件的表面进行喷砂处理，以获得所需的粗糙度；(i)用酸性或碱性溶液对所述构件的表面进行化学刻蚀，以进行表面整平处理；(j)对所述构件的表面进行超声波清洗；(k)对所述构件的表面进行高压清洗；以及(l)干燥所述构件的表面。2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：(c)检查所述构件的表面，当表面沉积物残留较少时，直接进入下一步骤，当表面沉积物残留过多时，重复所述步骤(a)和(b)，直至沉积物残留较少后，进入下一步骤。3.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：(d)对所述构件的表面进行激光定点清洗；和/或，(e)对所述构件的表面进行超声波清洗；和/或，(h)任选地，使用干冰对所述构件的表面进行清洗。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述喷料选自下组中的至少一种：铜矿砂、石英砂、金刚砂、铁砂、海砂、白刚玉砂和玻璃砂。5.根据权利要求1或2或3所述的方法，其中所述步骤(a)中的喷砂处理使用摆动式喷枪进行，所述喷枪的摆动幅度为+/
‑
15
°
至+/
‑
30
°
。6.根据权利要求1或2或3所述的方法，其中所述步骤(b)中的无机酸选自下组中的至少一种：硫酸和硝酸。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓刚，黄来国，刘超，李仁杰，蔡广云，朱勇，
申请(专利权)人：合肥微睿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：