半导体装置及电力转换装置制造方法及图纸

目的是得到能够将阻隔层稳定地堆叠的半导体装置及电力转换装置。本发明专利技术涉及的半导体装置具有：基座板；壳体，在俯视观察时将该基座板正上方的区域包围；半导体芯片，设置于该区域；封装树脂，其填充该区域；以及阻隔层，设置于该封装树脂之上，该阻隔层具有与该基座板相对的第1面、与该第1面相反侧的第2面和从该第2面向上方凸出的凸部，该第1面在该阻隔层的中心部处与该基座板之间的距离最短，随着远离该中心部，与该基座板之间的距离连续地变长，该凸部避开该中心部而至少设置于该中心部的两侧，该凸部的从该第2面算起的高度比该第1面中的位于该凸部正下方的部分与该第1面中的在该中心部设置的部分之间的该阻隔层的厚度方向上的距离大。上的距离大。上的距离大。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及电力转换装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置及电力转换装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了功率半导体模块。该功率半导体模块具有绝缘基板、第1导电电路图案、第2导电电路图案、第1半导体元件、第2半导体元件、封装部件和阻隔层。封装部件将第1半导体元件、第2半导体元件、第1导电电路图案和第2导电电路图案封装。阻隔层防止水分以及硫气体这样的气体侵入至功率半导体模块的内部。在封装部件设置有应力缓和部。封装部件的外表面以至少在应力缓和部处随着靠近功率半导体模块的中央部而逐渐凹陷得深的方式形成。
[0003]专利文献1：国际公开第2019
‑
239615号公报
[0004]在专利文献1中，阻隔层向下方凸出，从而在封装部件形成有应力缓和部。这样的构造的阻隔层难以在保持水平的状态下静置，有可能无法稳定地堆叠。另外，在用于向半导体装置搭载的取得时，阻隔层有可能产生倾倒或掉落。

技术实现思路

[0005]本专利技术就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，得到能够将阻隔层稳定地堆叠的半导体装置及电力转换装置。
[0006]第1专利技术涉及的半导体装置具有：基座板；壳体，其在俯视观察时将该基座板的正上方的区域包围；半导体芯片，其设置于该区域；封装树脂，其填充该区域；以及阻隔层，其设置于该封装树脂之上，该阻隔层具有与该基座板相对的第1面、与该第1面相反侧的第2面和从该第2面向上方凸出的凸部，该第1面在该阻隔层的中心部处与该基座板之间的距离最短，随着远离该中心部，与该基座板之间的距离连续地变长，该凸部避开该中心部而至少设置于该中心部的两侧，该凸部的从该第2面算起的高度比该第1面之中的位于该凸部正下方的部分与该第1面之中的在该中心部设置的部分之间的该阻隔层的厚度方向上的距离大。
[0007]第2专利技术涉及的半导体装置具有：基座板；壳体，其在俯视观察时将该基座板的正上方的区域包围；半导体芯片，其设置于该区域；封装树脂，其填充该区域；以及阻隔层，其设置于该封装树脂之上，该阻隔层具有与该基座板相对的第1面、与该第1面相反侧的第2面和从该第1面向下方凸出的凸部，该第1面在该阻隔层的中心部处与该基座板之间的距离最短，随着远离该中心部，与该基座板之间的距离连续地变长，该凸部避开该中心部而至少设置于该中心部的两侧，该凸部的从该第2面算起的高度比该中心部处的该阻隔层的厚度大。
[0008]专利技术的效果
[0009]就第1、第2专利技术涉及的半导体装置而言，能够在堆叠了阻隔层时将阻隔层的第1面侧的凸出的部分收纳于由凸部形成的空间。因此，能够将阻隔层稳定地堆叠。
附图说明
[0010]图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。
[0011]图2是实施方式1涉及的半导体装置的放大图。
[0012]图3是表示将实施方式1涉及的阻隔层堆叠后的状态的图。
[0013]图4是表示第1面的一个例子的仰视图。
[0014]图5是表示第1变形例涉及的第1面的仰视图。
[0015]图6是表示第2变形例涉及的第1面的仰视图。
[0016]图7是表示凸部的一个例子的俯视图。
[0017]图8是表示第1变形例涉及的凸部的俯视图。
[0018]图9是表示第2变形例涉及的凸部的俯视图。
[0019]图10是表示第3变形例涉及的凸部的俯视图。
[0020]图11是实施方式2涉及的半导体装置的剖视图。
[0021]图12是表示将实施方式2涉及的阻隔层堆叠后的状态的图。
[0022]图13是实施方式3涉及的半导体装置的剖视图。
[0023]图14是实施方式4涉及的半导体装置的剖视图。
[0024]图15是实施方式5涉及的半导体装置的剖视图。
[0025]图16是表示将实施方式5涉及的阻隔层堆叠后的状态的图。
[0026]图17是表示电力转换系统的结构的框图，在该电力转换系统中应用了实施方式6涉及的电力转换装置。
具体实施方式
[0027]参照附图，对本实施方式涉及的半导体装置及电力转换装置进行说明。对相同或相应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。
[0028]实施方式1.
[0029]图1是实施方式1涉及的半导体装置100的剖视图。半导体装置100具有基座板11和在俯视观察时将基座板11的正上方的区域包围的壳体18。在被壳体18包围的区域设置多个半导体芯片14、16以及多个绝缘基板30。多个绝缘基板30通过接合材料12而与基座板11的上表面接合。半导体芯片14通过接合材料13而搭载于绝缘基板30之上。半导体芯片16通过接合材料15而搭载于绝缘基板30之上。
[0030]在壳体18插入有端子19。绝缘基板30通过配线材料17而与端子19连接。半导体芯片14、16经由绝缘基板30、配线材料17、端子19而与半导体装置100的外部电连接。另外，半导体芯片14、16经由绝缘基板30、配线材料17而电连接。
[0031]被壳体18包围的区域被封装树脂20填充。在封装树脂20之上设置阻隔层40。
[0032]在图1中示出了2个绝缘基板30，但绝缘基板30也可以根据半导体装置100的额定容量、配线规格而进一步设置。半导体装置100所具有的绝缘基板30也可以是1个。另外，半导体装置100所具有的半导体芯片只要大于或等于1个即可。
[0033]基座板11的材质不受限定。基座板11也可以由铜、铝、铜
‑
钼合金(CuMo)等金属材料构成。另外，基座板11也可以由碳化硅
‑
铝复合材料(AlSiC)、碳化硅
‑
镁复合材料(MgSiC)等复合材料构成。另外，基座板11还可以由环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或聚苯硫
醚(PPS)树脂这样的有机材料构成。
[0034]绝缘基板30具有导电部31、绝缘层32和导电电路部33。绝缘基板30也可以根据半导体装置100的额定容量、配线规格而具有多个导电电路部33。
[0035]绝缘层32的材质不受限定。绝缘层32也可以由氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)或氮化硼(BN)这样的无机陶瓷材料构成。另外，绝缘层32也可以由在树脂材料之中分散有微粒以及填料的至少一者的材料构成。微粒、填料也可以由无机陶瓷材料构成。无机陶瓷材料例如是氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、金刚石(C)、碳化硅(SiC)或氧化硼(B2O3)。微粒、填料也可以由硅树脂或丙烯酸树脂这样的树脂材料形成。被分散微粒、填料的树脂具有电绝缘性。被分散微粒、填料的树脂不受限定。被分散微粒、填料的树脂也可以由环氧树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂或丙烯酸树脂构成。
[0036]导电部31和导电电路部33的材质不受限定。导电部31和导电电路部33也可以由铜或铝这样的金属材料形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：基座板；壳体，其在俯视观察时将所述基座板的正上方的区域包围；半导体芯片，其设置于所述区域；封装树脂，其填充所述区域；以及阻隔层，其设置于所述封装树脂之上，所述阻隔层具有与所述基座板相对的第1面、与所述第1面相反侧的第2面和从所述第2面向上方凸出的凸部，所述第1面在所述阻隔层的中心部处与所述基座板之间的距离最短，随着远离所述中心部，与所述基座板之间的距离连续地变长，所述凸部避开所述中心部而至少设置于所述中心部的两侧，所述凸部的从所述第2面算起的高度比所述第1面之中的位于所述凸部正下方的部分与所述第1面之中的在所述中心部设置的部分之间的所述阻隔层的厚度方向上的距离大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述凸部的上表面具有沿所述第1面之中的位于所述凸部正下方的部分而倾斜的部分。3.一种半导体装置，其特征在于，具有：基座板；壳体，其在俯视观察时将所述基座板的正上方的区域包围；半导体芯片，其设置于所述区域；封装树脂，其填充所述区域；以及阻隔层，其设置于所述封装树脂之上，所述阻隔层具有与所述基座板相对的第1面、与所述第1面相反侧的第2面和从所述第1面向下方凸出的凸部，所述第1面在所述阻隔层的中心部处与所述基座板之间的距离最短，随着远离所述中心部，与所述基座板之间的距离连续地变长，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶勇辅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：