【技术实现步骤摘要】
半导体装置及电力转换装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置及电力转换装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了功率半导体模块。该功率半导体模块具有绝缘基板、第1导电电路图案、第2导电电路图案、第1半导体元件、第2半导体元件、封装部件和阻隔层。封装部件将第1半导体元件、第2半导体元件、第1导电电路图案和第2导电电路图案封装。阻隔层防止水分以及硫气体这样的气体侵入至功率半导体模块的内部。在封装部件设置有应力缓和部。封装部件的外表面以至少在应力缓和部处随着靠近功率半导体模块的中央部而逐渐凹陷得深的方式形成。
[0003]专利文献1:国际公开第2019
‑
239615号公报
[0004]在专利文献1中,阻隔层向下方凸出,从而在封装部件形成有应力缓和部。这样的构造的阻隔层难以在保持水平的状态下静置,有可能无法稳定地堆叠。另外,在用于向半导体装置搭载的取得时,阻隔层有可能产生倾倒或掉落。
技术实现思路
[0005]本专利技术就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于,得到能够将 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:基座板;壳体,其在俯视观察时将所述基座板的正上方的区域包围;半导体芯片,其设置于所述区域;封装树脂,其填充所述区域;以及阻隔层,其设置于所述封装树脂之上,所述阻隔层具有与所述基座板相对的第1面、与所述第1面相反侧的第2面和从所述第2面向上方凸出的凸部,所述第1面在所述阻隔层的中心部处与所述基座板之间的距离最短,随着远离所述中心部,与所述基座板之间的距离连续地变长,所述凸部避开所述中心部而至少设置于所述中心部的两侧,所述凸部的从所述第2面算起的高度比所述第1面之中的位于所述凸部正下方的部分与所述第1面之中的在所述中心部设置的部分之间的所述阻隔层的厚度方向上的距离大。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述凸部的上表面具有沿所述第1面之中的位于所述凸部正下方的部分而倾斜的部分。3.一种半导体装置,其特征在于,具有:基座板;壳体,其在俯视观察时将所述基座板的正上方的区域包围;半导体芯片,其设置于所述区域;封装树脂,其填充所述区域;以及阻隔层,其设置于所述封装树脂之上,所述阻隔层具有与所述基座板相对的第1面、与所述第1面相反侧的第2面和从所述第1面向下方凸出的凸部,所述第1面在所述阻隔层的中心部处与所述基座板之间的距离最短,随着远离所述中心部,与所述基座板之间的距离连续地变长,所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。