一种轻质高性能电路的精密制备方法技术

本发明专利技术公开了一种轻质高性能电路的精密制备方法，包括：步骤S1：制作电路的基材层和预浸料层；步骤S101：将PMI泡沫原材料烘干，并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工；步骤S102：在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料；步骤S103：基于基材层预设外型面制作阴模；步骤S104：将敷制好预浸料的PMI基材置于阴模中，在高温高压下固化，其中温度和压力基于预浸料种类设置；步骤S105：将固化后的PMI基材层连同预浸料层进行脱模处理；步骤S2：制作传输电路层；步骤S3：制作电阻层。通过本发明专利技术方法能够在基材层上实现随形曲面结构的精密成型和表层薄层电路、以及简单器件的精密制备。简单器件的精密制备。简单器件的精密制备。

【技术实现步骤摘要】
一种轻质高性能电路的精密制备方法


[0001]本专利技术属于电路制造领域，具体涉及一种拥有低介电常数的轻质电路的精密制备方法。

技术介绍

[0002]随着辐射电路朝着高电磁性能、轻量化等要求的发展，对高功能密度的轻质随形辐射电路的需求越来越显著。近年来，这类设计趋势越来越明显，原因是此类电路结构与传统模式相比具有众多显著的优势：首先，随形辐射电路可提升产品的电性能；其次，具有低剖面特性，不会影响其安装结构的空气动力学性能；再次，可以最大程度利用安装空间，解决了安装平台与辐射电路外形的冲突；最后，可以减小辐射电路的厚度，简化各结构之间的互联结构，大大提高产品的功能密度和集成度。
[0003]目前辐射电路的制备主要集中在基于PEEK、PI等介电性能相对优异的塑料作为支撑和透波结构基体，在这类基体表面采用增材、有时也结合减材的方式制作所需要的电路。但是无论是PEEK还是PI这类工程塑料，均不是辐射电路的最佳载体，因为他们的相对介电常数较和损耗角正切均较大，介电常数在3.2—3.5之间，损耗角正切为3
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种轻质高性能电路的精密制备方法，其特征在于，所述电路的结构由底部到顶部依次由基材层、预浸料层、传输电路层和电阻层构成；所述电路的精密制备方法包括：步骤S1：制作电路的基材层和预浸料层；步骤S101：将PMI泡沫原材料烘干，并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工；步骤S102：在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料；步骤S103：基于基材层预设外型面制作阴模；步骤S104：将敷制好预浸料的PMI基材置于阴模中，固化成型；步骤S105：将固化后的PMI基材层连同预浸料层进行脱模处理；步骤S2：制作传输电路层；步骤S201：对曲面基材上的预浸料层用无水乙醇进行清洗；步骤S202：在预浸料层上采用干法增材技术制作电路图形；步骤S3：制作电阻层；步骤S301：对电路表面的传输电路层用无水乙醇进行清洗；步骤S302：在电路传输层表面采用干法增材技术制作电阻。2.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法，其特征在于，步骤S101中，对基材层的外形曲面加工过程中采用不沾油的干加工。3.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法，其特征在于，步骤S102中，若PMI泡沫表面为可展开曲面，则先裁切出展开后的形状的预浸料，若PMI泡沫表面为不可展开曲面，则将曲面进行分割，并裁切出对应的若干块预浸料进行拼接，然后完成预浸料的敷制。4.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法，其特征在于，步骤S103中，所述阴模的模具材料包括：铬锰钢、铬镍钢和铬钨钢，并采用数控...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡，王天石，邓超，刘镜波，全旭林，曹洪志，周雅惠，徐利明，万养涛，陈曦，王庆兵，金涛，周治立，陈以金，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：