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本发明公开了一种轻质高性能电路的精密制备方法,包括:步骤S1:制作电路的基材层和预浸料层;步骤S101:将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;步骤S102:在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基...该专利属于中国电子科技集团公司第二十九研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第二十九研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种轻质高性能电路的精密制备方法,包括:步骤S1:制作电路的基材层和预浸料层;步骤S101:将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;步骤S102:在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基...