一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法技术方案

本发明专利技术涉及一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中无法有效控制晶片边缘的关键尺寸，导致晶片边缘的关键尺寸不均匀，无法得到期望的晶片轮廓的问题。该用于控制晶片边缘关键尺寸的系统包括顶盘、内电极、外电极、用于放置晶片的静电卡盘、用于保护晶片边缘的边缘环、第一进气系统和第二进气系统；第一进气系统包括贯通顶盘和外电极的第一气孔，第一气孔用于向晶片的边缘供气；第二进气系统包括贯通顶盘和内电极的第二气孔，第二气孔用于向晶片的中心供气。本发明专利技术实现了对晶片特定点的末端边缘关键尺寸的精密控制。边缘关键尺寸的精密控制。边缘关键尺寸的精密控制。

【技术实现步骤摘要】
一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中，设计师总是期望通过刻蚀工艺得到的晶片的关键尺寸是良好的，不存在异常，即整片晶片关键尺寸的误差为
±
0.1，如图1(a)所示。然而生产实践中，由于刻蚀的反应腔室中使用的主要部件与各种硬件装置存在误差，会造成特定部分的刻蚀速率不同，从而导致晶片的关键尺寸(Critical Dimension)与所期望得到的关键尺寸存在偏差，如图1(b)所示，晶片表面的大部分区域关键尺寸的误差在
‑
0.3至
±
0.1μm之间，边缘处关键尺寸的误差达到了
‑
0.5μm，甚至
‑
0.7μm，误差绝对值大，均匀性差。并且，从晶片中心越往末端边缘，关键尺寸的变化呈现一定的趋势(如降低或升高)，如图2所示，从晶片中心越往末端边缘，关键尺寸越小。
[0003]造成刻蚀速率不同的原因在于：(1)上电极与静电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统，其特征在于，包括顶盘、内电极、外电极、用于放置晶片的静电卡盘、用于保护晶片边缘的边缘环、第一进气系统和第二进气系统；所述第一进气系统包括贯通所述顶盘和所述外电极的第一气孔，所述第一气孔用于向晶片的边缘供气；所述第二进气系统包括贯通所述顶盘和所述内电极的第二气孔，所述第二气孔用于向晶片的中心供气。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一气孔在所述外电极内偏向晶片的中心设置，所述顶盘和所述外电极所形成的接触面与所述外电极内的第一气孔之间所形成的夹角小于60
°
。3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述第一气孔的直径小于等于1mm。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述第一气孔的数量为多个，所述多个第一气孔沿圆周方向均匀分布。5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述第一气孔的数量为12个。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一进气系统还包括与所述第一气孔的数量相对应的多个控制阀，所述多个控制阀设于所述顶盘上表面或顶盘上方，用于控制通过所述第一气孔的气体流量。7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括控制系统，每个控制阀均与所述控制系统连接，以便实现控制阀的分别开启和关闭。8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，还包括与所述控制系统连接的压力监测装置，所述压力监测装置设于第一进气系统和第二进气系统的气路上，控制系统通过压力监测装置监测到的数据来控制对晶片中心或边缘的补偿。9.根据权利要求4
‑
8所述的系统，其特征在于，所述第一进气系统还包括第一总控阀，所述第一总控阀用于控制所述第一进气系统的开闭。10.根据权利要求4
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：李相龙，周娜，李琳，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：