一种应用于V2G车载变换器的SiCMOSFET驱动及保护自复位电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种应用于V2G车载变换器的SiC MOSFET驱动及保护自复位电路，属于V2G车载变换器技术领域，用于解决了V2G车载变换器驱动电路的安全抗干扰性能差、不能提供保护自复位等问题。包括PWM输入滤波电路、驱动芯片U1、电源滤波电路、驱动电路、过流检测电路、MOSFET功率开关管和保护自复位电路；本实用新型专利技术在SiC专用驱动芯片的基础上，通过设计PWM输入滤波电路、高频大电流驱动电路、饱和电流过流检测电路、电源滤波电路及由电压比较器与延时电路构成的保护自复位电路，增强了SiC驱动电路的鲁棒性和抗干扰能力，可以保证V2G车载变换器在高频、高压和复杂工况下具备稳定的工作条件，同时解决了传统SiC驱动电路无饱和电流过流自复位功能的缺陷。流过流自复位功能的缺陷。流过流自复位功能的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于V2G车载变换器的SiC MOSFET驱动及保护自复位电路


[0001]本技术属于V2G车载变换器
，涉及一种应用于V2G车载变换器的SiC MOSFET驱动及保护自复位电路。

技术介绍

[0002]车载双向变换器如V2G车载双向变换器，具备新能源汽车与电网能量双向互动的功能，可实现新能源汽车参与电网调峰调频等辅助服务，随着高比例可再生能源接入电网，V2G车载变换器将面临高频、高压、大电流等更加复杂恶劣的工况，特别是在频繁能量双向流动的工况下V2G车载双向变换器输出电压与电流的鲁棒性较差，降低了功率驱动电路的稳定性，现有技术多数采用分离器件搭建驱动电路存在响应速度慢、系统不稳定造成功耗大和发热严重等问题；少数采用集成驱动电路存在过流保护无法自复位消除故障等问题，影响了V2G车载变换器的整体性能。
[0003]采用隔离的新型高速单通道SiC MOSFET过流保护门控驱动芯片，具备高共模干扰抑制和大驱动电流能力，特别适用于V2G车载变换器等中高压功率变换场合。主控PWM信号经过RC滤波电路输入至驱动芯片门极驱动信号输入端，经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于V2G车载变换器的SiC MOSFET驱动及保护自复位电路，包括PWM输入滤波电路、驱动芯片U1、电源滤波电路、驱动电路、过流检测电路、MOSFET功率开关管和保护自复位电路，其特征在于，所述PWM输入滤波电路与驱动芯片U1的10引脚连接，电源滤波电路与驱动芯片U1的5和8引脚连接，驱动电路与驱动芯片U1的1、3、4、5、6、7引脚连接，过流检测电路与驱动芯片U1的2引脚连接，且与驱动芯片U1的1引脚连接3引脚的串联引线连接，过流检测电路与驱动电路共用驱动芯片U1的3引脚连接，保护自复位电路与驱动芯片U1的13引脚和14引脚连接，驱动电路及过流检测电路均与MOSFET功率开关管的源极相连接。2.根据权利要求1所述的一种应用于V2G车载变换器的SiC MOSFET驱动及保护自复位电路，其特征在于，所述PWM输入滤波电路是由电阻R1和电容C1构成RC滤波电路，用于滤除PWM信号高频干扰杂波并输入至驱动芯片U1的10引脚，其中滤除的高频干扰杂波的频率可由电阻R1和电容C1的值决定。3.根据权利要求1所述的一种应用于V2G车载变换器的SiC MOSFET驱动及保护自复位电路，其特征在于，所述驱动芯片U1型号为UCC21750DWR，驱动芯片U1经过隔离和信号放大，经驱动芯片U1的4引脚输出PWM高电平信号并串联限流电阻R3连接至MOSFET功率开关管的栅极，驱动芯片U1的6引脚输出PWM低电平信号并串联限流电阻R2连接至MOSFET功率开关管的栅极，二极管D1的阴极连接驱动芯片U1的5引脚，阳极连接驱动芯片U1的7引脚和MOSFET功率开关管的栅极，二极管D1起加速开关管关断的功能，滤波电容C5、稳压管D2和下拉电阻R4并联于MOSFET功率开关管的栅极和源极以及驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国胜，李迪，黄云帆，杜预则，孙娜，董海鹰，
申请(专利权)人：兰州交通大学，
类型：新型
国别省市：