一种欠压保护控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种欠压保护控制电路，包括电源正极VCC，电源负极0V，稳压二极管D7，二极管D8，电阻R30、R31、R33、R35、R37，NPN三极管Q5、Q6，电容C28；D7阴极接VCC，阳极通过R31接0V；R33一端接D7阳极，另一端通过R38接Q5的基极；Q5发射极接0V，集电极通过R35接VCC，同时接Q6基极；Q6发射极接0V，集电极通过R30接VCC，同时通过R37和D8接R33和R38的连接点；C28一端接R33和R38的连接点，另一端接0V。本实用新型专利技术提出了一种具有迟滞比较功能的欠压保护控制电路，且迟滞的阈值可设置，可避免系统因欠压而产生的故障问题。仅使用稳压管、电阻、三极管、电容实现，未使用运算放大器或电压比较器，降低了系统成本。低了系统成本。低了系统成本。

【技术实现步骤摘要】
一种欠压保护控制电路


[0001]本技术涉及电子电路
，具体是指一种欠压保护控制电路。

技术介绍

[0002]现有的多数电子产品，如：DC/DC变换器等，都需要欠压保护电路，以避免输入电压过低时，进入异常工作状态，导致电子产品损坏等问题。一般具有迟滞比较功能的欠压保护控制电路采用运算放大器或电压比较器，成本较高，且电压较高时需要增加稳压电路为运算放大器或电压比较器供电，进一步增加功耗和成本。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是，提出一种不需要运算放大器或电压比较器的具有迟滞比较功能的欠压保护控制电路。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种欠压保护控制电路，包括稳压二极管D7，二极管D8，电阻R30、R31、R33、R35、R37，NPN三极管Q5、Q6，电容C28；
[0005]所述稳压二极管D7阴极接电源正极VCC，阳极通过电阻R31接电源负极0V；
[0006]所述电阻R33一端接稳压二极管D7阳极，另一端通过电阻R38接NPN三极管Q5的基极；
[0007]所述NPN三极管Q5发射极接电源负极0V，集电极通过电阻R35接电源正极VCC，同时接NPN三极管Q6基极；
[0008]所述NPN三极管Q6发射极接电源负极0V，集电极通过电阻R30接电源正极VCC，同时通过电阻R37和二极管D8接电阻R33和电阻R38的连接点；
[0009]所述电容C28一端接电阻R33和电阻R38的连接点，另一端接电源负极0V。<br/>[0010]进一步的，所述稳压二极管D7根据欠压保护阈值选取击穿电压。
[0011]本技术与现有技术相比的优点在于：提出了一种具有迟滞比较功能的欠压保护控制电路，且迟滞的阈值可设置，可避免系统因欠压而产生的故障问题。仅使用稳压管、电阻、三极管、电容实现，未使用运算放大器或电压比较器，降低了系统成本。
附图说明
[0012]图1是本技术一种欠压保护控制电路的电路图。
具体实施方式
[0013]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0014]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是
为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0015]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0016]结合附图，一种欠压保护控制电路，包括电源正极VCC，电源负极0V，稳压二极管D7，二极管D8，电阻R30、R31、R33、R35、R37，NPN三极管Q5、Q6，电容C28；所述稳压二极管D7阴极接电源正极VCC，阳极通过电阻R31接电源负极0V；所述电阻R33一端接稳压二极管D7阳极，另一端通过电阻R38接NPN三极管Q5的基极；所述NPN三极管Q5发射极接电源负极0V，集电极通过电阻R35接电源正极VCC，同时接NPN三极管Q6基极；所述NPN三极管Q6发射极接电源负极0V，集电极通过电阻R30接电源正极VCC，同时通过电阻R37和二极管D8接电阻R33和电阻R38的连接点；所述电容C28一端接电阻R33和电阻R38的连接点，另一端接电源负极0V。
[0017]所述稳压二极管D7根据欠压保护阈值选取击穿电压。
[0018]工作原理：当电源电压VCC小于D7的击穿电压VD时，D7阳极为0V，Q5不导通，Q6导通，Q6集电极的电压VEN等于Q6的导通电压VCE。
[0019]若此时电源电压升高，当VCC大于D7的击穿电压时，D7导通，其阳极电压为VCC
‑
VD。
[0020]当VCC
‑
VD大于D8的正向导通电压VF与VCE之和时，R33与R38之间电压Vth等于(VCC
‑
VD
‑
VF
‑
VCE)/(R33+R37)*R37+VF+VCE。
[0021]当Vth大于Q5的基极导通电压Vbe时，Q5导通，Q6不导通。Q6的集电极电压VEN等于VCC。
[0022]当VEN等于VCC此时，D8不导通，Vth＝VCC
‑
VD。若此时电源电压降低，当VCC
‑
VD小于Vbe时，Q5不再导通，Q6导通，VEN等于VCE。
[0023]VEN接电源芯片的使能端，以控制后级电源的通断。
[0024]电源导通的条件为(VCC
‑
VD
‑
VF
‑
VCE)/(R33+R37)*R37+VF+VCE&gt;Vbe，即导通电压为：(Vbe
‑
VF
‑
VCE)*(R33+R37)/R37+VD+VF+VCE。
[0025]电源关断的条件为VCC
‑
VD&lt;Vbe,即VCC&lt;VD+Vbe。
[0026]C28可使Vth更稳定，降低输入电源波动产生的通断误动作。在选择二极管和三极管时，要求二极管的正向导通电压VF与三极管的导通饱和电压VCE之和大于三极管的最小导通基极电压Vbe。即VF+VCE&gt;Vbe。
[0027]以上对本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种欠压保护控制电路，其特征在于：包括电源正极VCC，电源负极0V，稳压二极管D7，二极管D8，电阻R30、R31、R33、R35、R37，NPN三极管Q5、Q6，电容C28；所述稳压二极管D7阴极接电源正极VCC，阳极通过电阻R31接电源负极0V；所述电阻R33一端接稳压二极管D7阳极，另一端通过电阻R38接NPN三极管Q5的基极；所述NPN三极管Q5发射极接电源负极0V，集电极通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡方圆，龙友能，何思伟，
申请(专利权)人：镇江转能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：