一种电源和信号接口热插拔保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电源和信号接口热插拔保护电路，包括电阻R1、电阻R2、Mosfet和二极管D1，所述插件电源正极输入端接Mosfet的源极，所述电阻R1接Mosfet的源极和栅极两端，所述电阻R2一端接Mosfet的栅极，所述电阻R2另一端接0V，所述二极管D1的阴极接0V，本实用新型专利技术属于电子电路技术领域，具体是指一种电源和信号接口热插拔保护电路，在热插拔时避免了因为0V后接入或0V先脱离而导致的电路模块损坏的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种电源和信号接口热插拔保护电路


[0001]本技术属于电子电路
，具体是指一种电源和信号接口热插拔保护电路。

技术介绍

[0002]一些电子模块需要频繁插拔，插拔的接口上包括电源线和信号线，在插入时若电源正极和信号线先接入，0V后接入，或端子拔掉时负极先脱离，极有可能对电子模块造成损坏。为了避免这一情况，通常先断电后插入再供电，或先接入负极再接入信号电源，较为麻烦。

技术实现思路

[0003]为了解决上述难题，本技术提供了一种电源和信号接口热插拔保护电路，在热插拔时避免了因为0V后接入或0V先脱离而导致的电路模块损坏的问题。
[0004]为了实现上述功能，本技术采取的技术方案如下：一种电源和信号接口热插拔保护电路，包括电阻R1、电阻R2、Mosfet和二极管D1，所述插件电源正极输入端接Mosfet的源极，所述电阻R1接Mosfet的源极和栅极两端，所述电阻R2一端接Mosfet的栅极，所述电阻R2另一端接0V，所述二极管D1的阴极接0V；在插件正极V+和0V都接入时，Mosfet才会导通输出正电压，并通过二极管D1构成回路给电路模块供电，而0V未接入时，Q1无法导通，电源正极无法通过信号和其他回路给电路模块进行非正常供电，不会损坏电路模块。
[0005]进一步地，所述Mosfet为P沟道Mosfet。
[0006]本技术采取上述结构取得有益效果如下：本技术提供的一种电源和信号接口热插拔保护电路操作简单，机构紧凑，设计合理，电路主体部分由两个电阻、一个P沟道Mosfet、一个二极管组成，插件1号脚为电源正极输入端，接Mosfet的源极，R1接在源极和栅极两端，R2一端接栅极，另一端接0V，二极管D1的阴极接0V，在插件正极V+和0V都接入时，Mosfet才会导通输出正电压，并通过二极管D1构成回路给电路模块供电。而0V未接入时，Q1无法导通，电源正极无法通过信号和其他回路给电路模块进行非正常供电，不会损坏电路模块。
附图说明
[0007]图1为本技术一种电源和信号接口热插拔保护电路的电路图。
具体实施方式
[0008]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0009]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。以下结合附图，对本技术做进一步详细说明。
[0010]如图1所示，本技术一种电源和信号接口热插拔保护电路，包括电阻R1、电阻R2、Mosfet和二极管D1，所述插件电源正极输入端接Mosfet的源极，所述电阻R1接Mosfet的源极和栅极两端，所述电阻R2一端接Mosfet的栅极，所述电阻R2另一端接0V，所述二极管D1的阴极接0V。
[0011]所述Mosfet为P沟道Mosfet。
[0012]具体使用时，电路主体部分由两个电阻、一个P沟道Mosfet、一个二极管组成，插件1号脚为电源正极输入端，接Mosfet的源极，R1接在源极和栅极两端，R2一端接栅极，另一端接0V，二极管D1的阴极接0V，在插件正极V+和0V都接入时，Mosfet才会导通输出正电压，并通过二极管D1构成回路给电路模块供电。而0V未接入时，Q1无法导通，电源正极无法通过信号和其他回路给电路模块进行非正常供电，不会损坏电路模块。
[0013]以上对本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源和信号接口热插拔保护电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、Mosfet和二极管D1，所述电源正极输入端接Mosfet的源极，所述电阻R1接Mosfet的源极和栅极两端，所述电阻R2一...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙友能，胡方圆，何思伟，
申请(专利权)人：镇江转能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：