一种疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1是将金属M阳离子与硼源进行研磨后得到MB6前驱体；步骤2是将所述的MB6前驱体装入回转炉进行煅烧，回转炉中通入氢氮混合气，升温至850

【技术实现步骤摘要】
一种疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料的制备方法


[0001]本专利技术属于隔热粉体材料领域，尤其是涉及一种疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料的制备方法。

技术介绍

[0002]金属硼化物因其独特的结构和性能被应用在众多领域。MB6(M=Mg、Ca、Sr、Ba、La等)具有CsCl型晶体结构，其中金属原子位于立方体体心位置，而８个顶角位置被Ｂ原子组成的正八面体占据。这些金属硼化物具有熔点高、硬度大、逸出功低、蒸发速率低、化学性能稳定及耐离子轰击等优点，以及很好的导热性和导电性。而且M
x
B6纳米颗粒由于纳米材料的小尺寸效应、表面效应、量子效应和宏观量子隧道效应、具有优异近红外吸收性能等。
[0003]目前常见的MB6粉体的制备方法有：纯元素化学合成法、光电子技术、硼、碳热还原法、硼热还原法、自蔓延高温合成法、自蔓延高温合成LaB6微粉及硼氢化钠热还原法等。这些方法都属于固相反应法范畴，存在反应温度高（1500
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2000℃）能耗大，原子扩散路径长，反应不完全等缺点，易导致制备的粉体粒径大，颗粒不均匀，杂质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1是将金属M阳离子与硼源进行研磨后得到MB6前驱体；步骤2是将所述的MB6前驱体装入回转炉进行煅烧，回转炉中通入氢氮混合气，升温至850
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1200℃，保温30
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450min，降温后得到初产物；步骤3是将所述的初产物除杂后得到所述的疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料；所述的步骤2中的升温步骤具体为：第一升温阶段：室温至20
‑
270℃，升温速率为7
‑
12℃/min，升温完成后保温1
‑
30min，通气速率为2
‑
100mL/min，回转炉倾斜角为5
‑
15
°
，旋转速率为1
‑
10rpm；第二升温阶段：升温至470
‑
550℃，升温速率为7
‑
12℃/min，升温完成后保温1
‑
30min，通气速率为2
‑
30mL/min，回转炉倾斜角为1
‑
10
°
，旋转速率为1
‑
30rpm；第三升温阶段：升温至850
‑
1200℃，升温速率为3
‑
7℃/min，保温30
‑
450min，通气速率为30
‑
100mL/min，回转炉倾斜角为1
‑5°
，旋转速率为0
‑
60rpm；所述的步骤1中的MB6前驱体的粒度小于等于150纳米。2.根据权利要求1所述的疏散蓬松MB6纳米低传热粉体材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中的降温步骤具体为：第一降温阶段：降温至470
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50℃，降温速率为10
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：邓冠南，张光睿，尹健，秦晓婷，刘金龙，彭维，李璐，
申请(专利权)人：天津包钢稀土研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：