半导体器件以及包括半导体器件的图像传感器制造技术

半导体器件可以包括：有源鳍，在衬底上在第一方向上延伸并且包括在位于与所述第一方向相交的第二方向上的两侧开口的凹陷部；源极区和漏极区，分别邻近所述有源鳍的相对端；栅电极，在所述有源鳍的所述凹陷部的上表面上沿所述第二方向横贯所述有源鳍，并且延伸到邻近所述凹陷部的侧面区域；以及栅绝缘层，在所述有源鳍与所述栅电极之间。有源鳍与所述栅电极之间。有源鳍与所述栅电极之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及包括半导体器件的图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月23日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请10
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2020
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0157647的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及半导体器件及具有该半导体器件的图像传感器。

技术介绍

[0004]在对半导体器件的高性能、高速度和/或多功能性的需求增加的同时，对半导体器件的高集成度的需求也增加。为了满足对于半导体器件的高集成度的需求，已经积极地进行了具有三维(3D)结构的沟道的半导体器件的开发。例如，随着图像传感器的像素小型化，已经引入了在保持电特性和可靠性的同时具有减小面积的诸如晶体管的半导体器件。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一个方面在于提供一种半导体器件，尽管其尺寸小却具有优异的电特性和可靠性。
[0006]本专利技术构思的一个方面在于提供一种包括半导体器件的图像传感器，尽管该半导体器件的尺寸小却具有优异的电特性和可靠性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：有源鳍，在第一方向上纵向延伸并且包括在所述有源鳍的宽度方向上延伸穿过所述有源鳍的凹陷部；源极区和漏极区，分别邻近所述有源鳍的相对端；栅电极，在第二方向上横贯所述有源鳍，所述栅电极包括位于所述有源鳍的所述凹陷部中的第一部分和从所述第一部分延伸到所述有源鳍的侧表面上的第二部分；以及栅绝缘层，在所述有源鳍与所述栅电极之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述凹陷部在沿所述第一方向的截面中具有U形状。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述侧表面包括所述栅电极的所述第二部分延伸到的部分，并且所述有源鳍的所述侧表面的该部分具有U形状。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹陷部的深度与所述凹陷部的上端在所述第一方向上的宽度的比在从0.5∶1至2∶1的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述凹陷部具有范围从100到的深度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述侧表面包括所述栅电极的所述第二部分延伸到的部分，并且所述有源鳍的所述侧表面的该部分具有或更大的宽度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述侧表面包括所述栅电极的所述第二部分延伸到的部分，所述有源鳍的所述侧表面的该部分具有与所述凹陷部的下端邻近的第一宽度并具有与所述凹陷部的上端邻近的第二宽度，并且所述第一宽度宽于所述第二宽度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的最上表面与所述源极区和所述漏极区的上表面共面。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极还包括：从所述栅电极的所述第一部分延伸到所述有源鳍的上表面上的第三部分。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述侧表面是第一侧表面，并且所述有源鳍还包括限定所述凹陷部的第二侧表面，并且所述有源鳍的所述第二侧表面在平面图中相对于所述第一方向倾斜。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅绝缘层包括：第一栅绝缘层；以及在所述第一栅绝缘层上并且具有比所述第一栅绝缘层的介电常数高的介电常数的第二栅绝缘层。12.一种半导体器件，包括：源极区和漏极区，在衬底上并且在第一方向上彼此间隔开；有源鳍，在所述第一方向上延伸，将所述源极区和所述漏极区彼此连接，并且包括在所述有源鳍的宽度方向上延伸穿过所述有源鳍的凹陷部；器件隔离膜，在所述衬底上并且围绕所述有源鳍、所述源极区和所述漏极区；以及栅结构，在第二方向上横贯所述有源鳍，并且包括与所述有源鳍的所述凹陷部的表面
接触的第一部分和从所述第一部分延伸到所述有源鳍的侧表面上的第二部分。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述有源鳍的所述凹陷部具有范围从100...

【专利技术属性】
技术研发人员：金声仁，宋泰荣，高宗贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：