存储控制器和包括存储控制器的存储设备制造技术

一种存储设备可以包括：至少包括第一单层单元(SLC)区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域的至少一个存储器设备，第一SLC区域具有比第二SLC区域更高的数据读取速度，并且第二SLC区域具有比至少一个具有多层的单元的区域更高的数据读取速度；以及存储控制器，被配置为控制数据在第一SLC区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。的迁移。的迁移。

【技术实现步骤摘要】
存储控制器和包括存储控制器的存储设备


[0001]本专利技术构思的各种示例实施例涉及存储控制器、包括包含存储控制器的非易失性存储器的存储设备、和/或操作存储控制器的方法等。

技术介绍

[0002]闪速存储器设备通过改变存储器单元的阈值电压来存储数据，并且使用期望的和/或预定的读取电平来读取数据。近来，包括闪速存储器的存储设备，诸如固态驱动器(SSD)、存储器卡等已经被广泛使用。这是因为闪速存储器是具有诸如低功耗和高集成度的期望的特性的非易失性设备。
[0003]在闪速存储器中，为了存储从主机发送的写入数据，根据写入数据的特性将写入数据存储在单层(single
‑
level)单元区域的存储器块或者多层(multi
‑
level)单元区域的存储器块中。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的各种示例实施例提供了具有改进的性能的存储控制器、包括该存储控制器的系统、和/或其操作方法。
[0005]本专利技术构思的至少一个示例实施例的方面提供了其中存储区域根据和/或基于数据的使用特性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备，包括：存储器设备，至少包括第一单层单元SLC区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域，所述第一SLC区域具有比所述第二SLC区域更高的数据读取速度，并且所述第二SLC区域具有比所述至少一个具有多层的单元的区域更高的数据读取速度；以及存储控制器，被配置为从所述存储器设备读取数据并且控制所述数据在所述第一SLC区域、所述第二SLC区域和所述至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：基于所述数据的特性控制所述数据在所述第一SLC区域、所述第二SLC区域和所述至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述数据的特性包括以下中的至少一个：被编程到存储器设备的所述数据的写入时间、所述数据的读取计数或其任意组合。4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：响应于所述数据中所包括的错误的数量小于错误阈值并且所述数据的写入时间小于迁移阈值时间，将在所述第二SLC区域或所述至少一个具有多层的单元的区域上存储的所述数据迁移至所述第一SLC区域。5.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：响应于所述数据中所包括的错误的数量大于或等于错误阈值并且所述数据的读取计数小于迁移阈值计数，保持在所述第二SLC区域或所述至少一个具有多层的单元的区域上存储的所述数据。6.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：响应于所述数据的读取计数大于或等于迁移阈值计数，将在所述第二SLC区域或所述至少一个具有多层的单元的区域中存储的所述数据迁移至所述第一SLC区域，以及保持在第一SLC区域中存储的所述数据。7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：基于存储控制器的数据访问模式，动态地调整所述存储器设备的所述第一SLC区域、所述第二SLC区域和所述至少一个具有多层的单元的区域的大小。8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述至少一个具有多层的单元的区域包括多层单元MLC、三层单元TLC、四层单元QLC或其任何组合中的至少一个。9.一种存储控制器的操作方法，包括：从存储器设备的单层单元SLC区域读取数据；以及基于所述数据的写入时间顺序和所述数据的读取计数来将所述数据迁移至所述存储器设备的具有多层的单元的区域，所述写入时间顺序指示所述数据被写入所述SLC区域的顺序，并且所述读取计数指示所述数据已经被读取的次数。10.根据权利要求9所述的操作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金焕，权宰暎，李在键，尹松虎，张实完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：