晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于晶片的多个半导体器件中的被判别为瑕疵品的半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将瑕疵器件区域从晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的半导体器件相同的功能。同的功能。同的功能。

【技术实现步骤摘要】
晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及具有多个半导体器件的晶片的制造方法和具有层叠的多个半导体器件的层叠器件芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]在器件芯片的制造工艺中，使用在由呈格子状排列的多条间隔道(分割预定线)划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片。通过将该晶片沿着间隔道进行分割，得到分别具有半导体器件的多个器件芯片。器件芯片被组装于移动电话、个人计算机等各种电子设备中。
[0003]近年来，制造具有层叠的多个半导体器件的器件芯片(层叠器件芯片)的技术被实用化。例如将多个器件芯片层叠，并且利用上下贯通器件芯片的贯通电极(TSV：Through
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Silicon Via)将半导体器件彼此连接，由此得到层叠器件芯片。当使用贯通电极时，与使用引线接合等的情况相比，能够缩短将半导体器件彼此连接的布线，因此能够实现层叠器件芯片的小型化及处理速度的提高。
[0004]作为层叠器件芯片的制造方法，提出了被称为WoW(Wafer on Wafer，堆叠晶片)的方法。在该方法中，将多个晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的制造方法，其特征在于，该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从该晶片分离，该瑕疵器件区域包含形成于该晶片的多个该半导体器件中的被判别为瑕疵品的该半导体器件；以及嵌入步骤，将具有良好的半导体器件且能够嵌入至通过将该瑕疵器件区域从该晶片分离而形成的贯通孔中的大小的器件芯片嵌入至该贯通孔中，该良好的半导体器件具有与被判别为瑕疵品的该半导体器件相同的功能，在该去除步骤中，沿着围绕被判别为瑕疵品的该半导体器件的该间隔道照射激光束。2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，在将对于该晶片具有透过性的波长的该激光束的聚光点定位于该晶片的内部的状态下，沿着该间隔道照射该激光束，由此沿着该间隔道形成作为该瑕疵器件区域的分离的起点发挥功能的改质层。3.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，在将对于该晶片具有吸收性的波长的该激光束的聚光点定位于该间隔道的状态下，沿着该间隔道照射该激光束，由此将该晶片的沿着该间隔道的区域去除。4.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中，在将对于该晶片具有吸收性的波长的该激光束的聚光点定位于通过朝向该晶片喷射液体而形成的液柱的内部的状态下，经由该液柱而沿着该间隔道照射该激光束，由此将该晶片的沿着该间隔道的区域去除。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，该晶片的制造方法还具有如下的磨削步骤：在实施该去除步骤之前，在该晶片的形成有该半导体器件的第1面侧粘贴保护部件，对该晶片的位于该第1面的相反侧的第2面侧进行磨削，将该晶片薄化至规定的厚度。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的晶片的制造方法，其特征在于，在该去除步骤中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永奭，张秉得，川合章仁，寺西俊辅，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：