一种晶圆处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶圆处理装置及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在进行完所有的晶圆工艺之后才进行清洗，导致无法将半导体制造过程中产生的烟气完全去除，晶圆良率损失的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和清洗系统。清洗系统设于晶圆处理装置内，以使经过工艺腔室的晶圆能够直接进入清洗系统进行清洗。转运腔室内设有转运机械手，转运机械手完成晶圆在工艺腔室与转运腔室间以及转运腔室与清洗系统间的传送。晶圆处理方法包括在进行完每一个会产生烟气的工艺之后均将晶圆送入清洗系统清洗并进行干燥处理。本发明专利技术实现了对烟气的有效去除，改善了因烟气造成的良率损失。成的良率损失。成的良率损失。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆处理装置及方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中，刻蚀、沉积、注入(Implantation)工艺产生的烟气会污染晶圆。晶圆上留下的烟气随着时间的延长固形化，变成缺陷源(Defect Source)，导致产品良率下降。
[0003]为了去除这样的烟气，现有技术中进行了多种改进。具有代表性的处理方式是设置N2储料器(Stocker)、氨气过滤器(Filter)、缓冲站和侧面存储。
[0004]但现有的清洗设备与工艺腔通常是独立设置，导致必须在进行完所有的晶圆工艺之后才能进行清洗，因此导致晶圆上留下的烟气随着时间的延长固形化，从而导致无法完全将烟气去除，对产品的良率带来一定的影响。

技术实现思路

[0005]鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种晶圆处理装置及方法，用以解决现有技术在进行完所有的晶圆工艺之后才进行清洗，导致无法将半导体制造过程中产生的烟气完全去除，晶圆良率损失的问题。
[0006]本专利技术的目的主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和清洗系统；所述工艺腔室包括刻蚀腔、沉积腔和/或注入腔，所述清洗系统设于所述晶圆处理装置内，以使经过所述刻蚀腔、所述沉积腔或所述注入腔处理的晶圆能够直接进入所述清洗系统进行清洗；所述转运腔室内设有转运机械手，所述转运机械手完成晶圆在工艺腔室与转运腔室间以及转运腔室与清洗系统间的传送。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述清洗系统位于所述晶圆处理装置的侧面。3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述清洗系统具有干燥处理功能，能够将清洗后的晶圆变干。4.根据权利要求1-3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述清洗系统包括壳体、位于壳体中的基座、用于放置晶圆的可旋转支撑件，以及至少一个用于提供清洗液的第一液体分配管，所述第一液体分配管用于向晶圆表面喷射清洗液，所述支撑件位于基座上。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一液体分配管包括具有弯曲的第一管状部分和用于喷出清洗液的第一喷嘴。6.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜东勋，周娜，李俊杰，王佳，李琳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：