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本发明提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件的晶片；去除步骤，将瑕疵器件区域从晶片分离，该...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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