半导体缺陷检测设备制造技术

本发明专利技术具体涉及一种半导体缺陷检测设备，所述半导体缺陷检测设备包括：第一光源发射器，所述第一光源发射器用于发射光束；光源分光镜，所述光源分光镜用于将所述第一光源发射器发射的光束分成至少两束光束，以使其中一束光束照射到晶圆的上表面且其余光束与所述其中一束光束的传播方向不同；至少两个第一光源折射镜，所述第一光源折射镜用于将所述其余光束折射到所述晶圆的侧面；信号接收器，所述信号接收器至少为两个，其中一个所述信号接收器用于接收所述晶圆的上表面的反射光源，其余所述信号接收器用于接收所述晶圆的侧面的反射光源。本发明专利技术的缺陷检测设备，无需翻转晶圆可得到晶圆上表面及侧面的缺陷数据，以减少检测时间，提高生产率。提高生产率。提高生产率。

【技术实现步骤摘要】
半导体缺陷检测设备


[0001]本专利技术属于半导体检测
，具体涉及一种半导体缺陷检测设备。

技术介绍

[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]半导体晶圆在经过多道加工工艺之后，需要对加工后的晶圆进行参数测量，以保证晶圆满足客户要求。晶圆大多采用缺陷检测设备对其表面及侧面的缺陷进行测量，现有的晶圆缺陷检测设备通常仅能对晶圆的单一面进行缺陷检测，将获得的晶圆的多个面的缺陷数据分别对比，得到整个晶圆的缺陷位置，但在多个面进行缺陷获取需要翻转晶圆，晶圆翻转之后还需进行位置校正，另外，将多个面的缺陷数据进行对比使用的时间较长，耗时耗力，降低了生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种半导体缺陷检测设备，所述半导体缺陷检测设备包括：第一光源发射器，所述第一光源发射器用于发射光束；光源分光镜，所述光源分光镜用于将所述第一光源发射器发射的光束分成至少两束光束，以使其中一束光束照射到晶圆的上表面且其余光束与所述其中一束光束的传播方向不同；至少两个第一光源折射镜，所述第一光源折射镜用于将所述其余光束折射到所述晶圆的侧面；信号接收器，所述信号接收器至少为两个，其中一个所述信号接收器用于接收所述晶圆的上表面的反射光源，其余所述信号接收器用于接收所述晶圆的侧面的反射光源。
附图说明
[0005]通过阅读下文具体实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出具体实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。其中：
[0006]图1为本专利技术第一个实施例的半导体缺陷检测设备的结构示意图；
[0007]图2为本专利技术第二个实施例的半导体缺陷检测设备的结构示意图。
[0008]附图标记：
[0009]100：半导体缺陷检测设备；
[0010]10：第一光源发射器；
[0011]20：光源分光镜；
[0012]30：第一光源折射镜；
[0013]40：信号接收器；
[0014]50：第二光源发射器；
[0015]60：第三光源发射器；
[0016]70：卡盘；
[0017]80：第二光源折射镜；
[0018]90：透镜；
[0019]110：第三折射镜；
[0020]200：晶圆。
具体实施方式
[0021]以下，将参照附图来描述本公开的实施方式。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0022]在附图中示出了根据本公开实施方式的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种室、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的室/层。
[0023]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0024]如图1所示，本专利技术的第一个实施例提供了一种半导体缺陷检测设备100，半导体缺陷检测设备100的包括：第一光源发射器10、光源分光镜20、至少两个第一光源折射镜30和信号接收器40，具体而言，第一光源发射器10用于发射光束，光源分光镜20用于将第一光源发射器10发射的光束分成至少两束光束，以使其中一束光束照射到晶圆200的上表面且其余光束与其中一束光束的传播方向不同，第一光源折射镜30用于将其余光束折射到晶圆200的侧面，信号接收器40至少为两个，其中一个信号接收器40用于接收晶圆200的上表面的反射光源，其余信号接收器40用于接收晶圆200的侧面的反射光源。
[0025]根据本专利技术实施例的半导体缺陷检测设备100，第一光源发射器10发射光束至光源分光镜20，光源分光镜20将接受到的光束分成至少两束光束，其中一束光束照射到晶圆200的上表面，通过其中一个信号接收器40获取晶圆200的上表面的缺陷信号进行，进而得到晶圆200的上表面的缺陷数据，其余光束沿其他方向传播到第一光源折射镜30，第一光源折射镜30将其余光束折射到晶圆200的侧面，通过其余信号接收器40获取晶圆200的侧面的缺陷信号进行，进而得到晶圆200的侧面的缺陷数据。本实施例的半导体缺陷检测设备，通过光源分光镜、光源折射镜对第一光源发射器发射的光束进行分束和折射，使光束分别照射到晶圆的上表面和侧面，无需翻转或移动晶圆的位置，避免因翻转晶圆造成晶圆坐标差异，从而减少了坐标校正步骤，进而减少了检测时间，另外，根据本实施例的信号接收器接收到的晶圆的上表面的光信号和侧面的光信号可以直接在同一坐标中形成缺陷数据图，从而减少了多个面的缺陷数据进行对比的时间，进而提高半导体缺陷检测设备的生产率。
[0026]进一步地，其余光束的数量为一束，一束其余光束通过第一光源折射镜30折射到晶圆200的侧面，半导体缺陷检测设备100还包括卡盘70，卡盘70用于放置晶圆200，卡盘70为可转动式卡盘70，晶圆200在卡盘70上可以转动，当其余光束的数量为一束且仅通过第一
光源折射镜30折射到晶圆200的侧面的一个位置时，可转动卡盘70以使晶圆200转动方向，使一束其余光束沿晶圆200的周向折射到晶圆200的侧面的不同位置，从而获取到晶圆200的整个侧面的缺陷数据。
[0027]在本专利技术的另一些实施例中，其余光束的数量为多束，多束其余光束分别通过多个第一光源折射镜30沿晶圆200的周向折射到晶圆200的侧面的不同位置，从而获取到晶圆200的整个侧面的缺陷数据。另外，在本专利技术的其他实施例中，也可以减少第一光源折射镜30的个数，通过改变第一光源折射镜30的角度使光束折射到晶圆200的侧面的不同位置，以获得晶圆200的整个侧面的缺陷数据。
[0028]本专利技术的第二个实施例提供了另一种半导体缺陷检测设备100，其包括：第二光源发射器50、第三光源发射器60和信号接收器40，具体而言，第二光源发射器50用于发射光束至晶圆200的上表面，第三光源发射器60用于发射光束至晶圆200的侧面，信号接收器40至少为两个，其中一个信号接收器40用于接收晶圆200的上表面的反射光源，其余信号接收器40用于接收晶圆200的侧面的反射光源。
[0029]根据本专利技术实施例的半导体缺陷检测设备100，第二光源发射器50发射光束到晶圆200的上表面，第三光源发射器60发射光束到晶圆200的侧面，通过其中一个信号接收器40接收光束从晶圆200的上表面折射的光信号，进而得到晶圆200的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体缺陷检测设备，其特征在于，所述半导体缺陷检测设备包括：第一光源发射器，所述第一光源发射器用于发射光束；光源分光镜，所述光源分光镜用于将所述第一光源发射器发射的光束分成至少两束光束，以使其中一束光束照射到晶圆的上表面且其余光束与所述其中一束光束的传播方向不同；至少两个第一光源折射镜，所述第一光源折射镜用于将所述其余光束折射到所述晶圆的侧面；信号接收器，所述信号接收器至少为两个，其中一个所述信号接收器用于接收所述晶圆的上表面的反射光源，其余所述信号接收器用于接收所述晶圆的侧面的反射光源。2.根据权利要求1所述的半导体缺陷检测设备，其特征在于，所述其余光束的数量为多束，当所述晶圆置于所述半导体缺陷检测设备中时，多束所述其余光束分别通过多个第一光源折射镜沿所述晶圆的周向折射到所述晶圆的侧面。3.根据权利要求1所述的半导体缺陷检测设备，其特征在于，所述其余光束的数量为一束，当所述晶圆置于所述半导体缺陷检测设备中时，一束所述其余光束通过第一光源折射镜折射到所述晶圆的侧面，所述半导体缺陷检测设备还包括卡盘，所述卡盘用于放置所述晶圆，所述卡盘为可转动式卡盘。4.一种半导体缺陷检测设备，其特征在于，所述半导体缺陷检测设备包括：第二光源发射器，所述第二光源发射器用于发射光束至晶圆的上表面；第三光源发射器，所述第三光源发射器用于发射光束至所述晶圆的侧面；信号接收器，所述信号接收器至少为两个，其中一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳喆，曲扬，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：