一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器制造技术

本发明专利技术提供一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器，包括设置在基底的上表面的玻璃层；设置在玻璃层上表面的硅衬底；以及设置在硅衬底上表面的半导体薄膜；硅衬底的中心区域开设有上小下大的圆台状的第一通孔；玻璃层的中心区域开设有沙漏状的第二通孔；第二通孔的顶部与第一通孔的底部连通，且连通后形成的空腔内安装有压电晶体；压电晶体的第一端与基底的上表面粘接；压电晶体的第二端通过第一氧化硅层与半导体薄膜的下表面耦合；压电晶体的外壁与第一通孔的内壁和第二通孔的内壁均存在间隙；将硅衬底反置到半导体薄膜和玻璃层之间，提高了电场传感器的测量精度和灵敏度。和灵敏度。和灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器


[0001]本专利技术涉及电子元件
，具体而言，涉及一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器。

技术介绍

[0002]目前，基于MEMS技术的微电场传感器已部分应用于大气环境的电场监测中。其优点是体积小、重量轻、成本低、功耗低、集成度高、适应于大规模批量生产。但其测量范围有限，只能应用于电网低电压等级下的正常电场测量且输出响应信号小，且测量分辨率较低，测量具有不确定度，无法实现精确测量。因此，需要提供一种方案以提高电场传感器的测量精度和灵敏度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器，用以实现提高电场传感器的测量精度和灵敏度的技术效果。
[0004]本专利技术提供了一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器，包括基底；设置在所述基底的上表面的玻璃层；设置在所述玻璃层上表面的硅衬底；以及设置在所述硅衬底上表面的半导体薄膜；所述硅衬底的上表面通过第一氧化硅层与所述半导体薄膜的下表面耦合；所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器，其特征在于，包括基底；设置在所述基底的上表面的玻璃层；设置在所述玻璃层上表面的硅衬底；以及设置在所述硅衬底上表面的半导体薄膜；所述硅衬底的上表面通过第一氧化硅层与所述半导体薄膜的下表面耦合；所述半导体薄膜的上表面设有第二氧化硅层；所述硅衬底的中心区域开设有上小下大的圆台状的第一通孔；所述玻璃层的中心区域开设有沙漏状的第二通孔；所述第二通孔的顶部与所述第一通孔的底部连通，且连通后形成的空腔内安装有压电晶体；所述压电晶体的第一端与所述基底的上表面粘接；所述压电晶体的第二端通过所述第一氧化硅层与所述半导体薄膜的下表面耦合；所述压电晶体的外壁与所述第一通孔的内壁和所述第二通孔的内壁均存在间隙；所述半导体薄膜的上侧开设有与所述半导体薄膜的上表面连通的两组离子掺杂区，且两组离子掺杂区呈十字型排布，每组离子掺杂区的形状对称；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，田兵，姚森敬，王志明，刘仲，孙宏棣，张佳明，尹旭，徐振恒，骆柏锋，林秉章，吕前程，
申请(专利权)人：南方电网数字电网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：