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本发明提供一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器，包括设置在基底的上表面的玻璃层；设置在玻璃层上表面的硅衬底；以及设置在硅衬底上表面的半导体薄膜；硅衬底的中心区域开设有上小下大的圆台状的第一通孔；玻璃层的中心区域开设有沙漏状的第二...
该专利属于南方电网数字电网研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南方电网数字电网研究院有限公司授权不得商用。

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